Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1593–1596
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48461.9171 (Mi phts5370) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN

И. Д. Бреевa, А. Н. Анисимовa, А. А. Вольфсонa, О. П. Казароваa, Е. Н. Моховb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (136 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48461.9171
Аннотация: Методом комбинационного рассеяния света проведен анализ структурного совершенства объемных кристаллов АlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN. Рост на затравках SiC осуществлялся с сохранением затравки SiC в процессе роста (тип 1), с полным испарением затравки SiC (тип 2) и на затравках AlN в вольфрамовых контейнерах, не имеющих графитовых деталей (тип 3). Согласно анализу спектров методом комбинационного рассеяния света, наиболее качественными являются кристаллы типа 3, характеризующиеся минимальным значением полной ширины на половине высоты линий. Наблюдаемые в этой работе особенности обусловлены различиями в механизме роста и содержанием легирующих примесей в выращиваемых кристаллах.
Ключевые слова: Aln, сублимационный сандвич-метод, КРС.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-02-00649-a
Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 19-02-00649-a.
Поступила в редакцию: 28.05.2019
Исправленный вариант: 03.06.2019
Принята в печать: 03.06.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1558–1561
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110034
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Д. Бреев, А. Н. Анисимов, А. А. Вольфсон, О. П. Казарова, Е. Н. Мохов, “Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1593–1596; Semiconductors, 53:11 (2019), 1558–1561
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BreAniVol19}
\by И.~Д.~Бреев, А.~Н.~Анисимов, А.~А.~Вольфсон, О.~П.~Казарова, Е.~Н.~Мохов
\paper Комбинационное рассеяние света в кристаллах AlN, выращенных методом сублимации на затравках SiC и AlN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1593--1596
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5370}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48461.9171}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300665}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1558--1561
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110034}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5370
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1593
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024