Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2021, том 114, выпуск 8, страницы 533–540
DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567821200052
(Mi jetpl6531)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C

Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 С.-Петербург, Россия
Список литературы:
Аннотация: Оптически индуцированное выстраивание и поляризация электронных и ядерных спинов в центрах окраски с электронным спином $S=3/2$, приводящее к гигантским изменениям фотолюминесценции в области антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней, наблюдалось в кристаллах $\mathrm{6H}$-$\mathrm{SiC}$, обогащенных изотопом $^{13}\mathrm{C}$. Идентифицированы электронные спиновые переходы с переворотом или сохранением проекции ядерного спина изотопа $^{13}\mathrm{C}$ в точках антипересечения уровней в электронно-ядерной системе c $S=3/2$ и $I=1/2$, связанной сверхтонким взаимодействием.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 19-52-12058
Deutsche Forschungsgemeinschaft ICRC TRR160 (Project C7)
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований # 19-52-12058 и Научно-исследовательского сообщества Германии (DFG) ICRC TRR160 (Project C7).
Поступила в редакцию: 13.09.2021
Исправленный вариант: 13.09.2021
Принята в печать: 14.09.2021
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2021, Volume 114, Issue 8, Pages 463–469
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364021200042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, “Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C”, Письма в ЖЭТФ, 114:8 (2021), 533–540; JETP Letters, 114:8 (2021), 463–469
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabAniBre21}
\by Р.~А.~Бабунц, А.~Н.~Анисимов, И.~Д.~Бреев, А.~С.~Гурин, А.~П.~Бундакова, М.~В.~Музафарова, Е.~Н.~Мохов, П.~Г.~Баранов
\paper Полностью оптическая регистрация сверхтонких электронно-ядерных взаимодействий в спиновых центрах в кристаллах 6H-SiC с модифицированным изотопным составом $^{13}$C
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2021
\vol 114
\issue 8
\pages 533--540
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6531}
\crossref{https://doi.org/10.31857/S1234567821200052}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2021
\vol 114
\issue 8
\pages 463--469
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364021200042}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000731870200005}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6531
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v114/i8/p533
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024