|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. Я. Винниченко, И. С. Махов, Н. Ю. Харин, С. В. Граф, В. Ю. Паневин, И. В. Седова, С. В. Сорокин, Д. А. Фирсов, “Фотопроводимость и поглощение инфракрасного излучения в квантовых ямах $p$-GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 629–636   ; M. Ya. Vinnichenko, I. S. Makhov, N. Yu. Kharin, S. V. Graf, V. Yu. Panevin, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, D. A. Firsov, “Photoconductivity and infrared-light absorption in $p$-GaAs/AlGaAs quantum wells”, Semiconductors, 55:9 (2021), 710–716 |
3
|
|
2020 |
| 2. |
О. С. Комков, С. А. Хахулин, Д. Д. Фирсов, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, С. В. Сорокин, “Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1011–1017 ; O. S. Komkov, S. A. Khakhulin, D. D. Firsov, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, “Investigation of built-in electric fields at the GaSe/GaAs interface by photoreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1198–1204 |
11
|
|
2019 |
| 3. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, Г. В. Климко, И. В. Седова, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, Ю. А. Гусева, Я. В. Терентьев, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Эффективный полупроводниковый источник одиночных фотонов красного спектрального диапазона”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 147–151 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, G. V. Klimko, I. V. Sedova, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, Yu. A. Guseva, Ya. V. Terent'ev, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Highly efficient semiconductor emitter of single photons in the red spectral range”, JETP Letters, 109:3 (2019), 145–149   |
5
|
| 4. |
С. В. Сорокин, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, М. А. Яговкина, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. В. Иванов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия двухмерных слоев GaSe на подложках GaAs(001) и GaAs(112): структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1152–1158 ; S. V. Sorokin, P. S. Avdienko, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, M. A. Yagovkina, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. V. Ivanov, “Molecular-beam epitaxy of two-dimensional gase layers on GaAs(001) and GaAs(112) substrates: structural and optical properties”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1131–1137 |
9
|
| 5. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Л. Шахмин, О. В. Рахимова, П. А. Дементьев, И. В. Седова, “Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 908–916 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, A. L. Shakhmin, O. V. Rakhimova, P. A. Dementev, I. V. Sedova, “Development of the physicochemical properties of the GaSb(100) surface in ammonium sulfide solutions”, Semiconductors, 53:7 (2019), 892–900 |
6
|
|
2018 |
| 6. |
М. В. Рахлин, К. Г. Беляев, С. В. Сорокин, И. В. Седова, Д. А. Кириленко, А. М. Можаров, И. С. Мухин, М. М. Кулагина, Ю. М. Задиранов, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Однофотонный источник при 80 K на основе диэлектрической наноантенны с CdSe/ZnSe квантовой точкой”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 201–205 ; M. V. Rakhlin, K. G. Belyaev, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, D. A. Kirilenko, A. M. Mozharov, I. S. Mukhin, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Single-photon emitter at 80 K based on a dielectric nanoantenna with a CdSe/ZnSe quantum dot”, JETP Letters, 108:3 (2018), 201–204 |
5
|
| 7. |
С. В. Сорокин, И. В. Седова, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, М. А. Яговкина, А. А. Торопов, С. В. Иванов, “Наногетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnMgSeTe для однофотонных источников, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 94–102 ; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, M. A. Yagovkina, A. A. Toropov, S. V. Ivanov, “Nanoheterostructures with CdTe/Zn(Mg)(Se)Te quantum dots for single-photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 267–270 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, С. И. Павлов, И. В. Седова, “Влияние растворителя сульфида аммония на пассивацию поверхности GaSb(100)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1138–1145 ; M. V. Lebedev, T. V. L'vova, S. I. Pavlov, I. V. Sedova, “Effect of ammonium-sulfide solvent on the surface passivation of GaSb (100)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1093–1100 |
4
|
| 9. |
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 56–62 ; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 |
2
|
|
2016 |
| 10. |
О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Т. В. Львова, И. В. Седова, А. Н. Семенов, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, “Фотоотражение антимонида индия”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2307–2313 ; O. S. Komkov, D. D. Firsov, T. V. L'vova, I. V. Sedova, A. N. Semenov, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, “Photoreflectance of indium antimonide”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2394–2400 |
13
|
| 11. |
Т. В. Шубина, К. Г. Беляев, М.А. Семина, А. В. Родина, А. А. Головатенко, А. А. Торопов, С. В. Сорокин, И. В. Седова, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Резонансный перенос энергии в плотном массиве II–VI квантовых точек”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2175–2179 ; T. V. Shubina, K. G. Belyaev, M.A. Semina, A. V. Rodina, A. A. Golovatenko, A. A. Toropov, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “Resonance energy transfer in a dense array of II–VI quantum dots”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2256–2260 |
2
|
| 12. |
В. С. Кривобок, С. Н. Николаев, С. И. Ченцов, Е. Е. Онищенко, В. С. Багаев, В. И. Козловский, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, С. В. Иванов, “Изолированные (квантовые) излучатели, сформированные с участием дефектов, в гетероструктуре ZnSe/ZnMgSSe”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 108–113 ; V. S. Krivobok, S. N. Nikolaev, S. I. Chentsov, E. E. Onishchenko, V. S. Bagaev, V. I. Kozlovskii, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, S. V. Ivanov, “Isolated quantum emitters originating from defect centers in a ZnSe/ZnMgSSe heterostructure”, JETP Letters, 104:2 (2016), 110–115 |
8
|
| 13. |
М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1726 ; M. B. Karavaev, D. A. Kirilenko, E. V. Ivanova, T. B. Popova, A. A. Sitnikova, I. V. Sedova, M. V. Zamoryanskaya, “Study of the parameters of nanoscale layers in nanoheterostructures based on II–VI semiconductor compounds”, Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60 |
2
|
| 14. |
С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Гронин, К. Г. Беляев, М. В. Рахлин, А. А. Торопов, И. С. Мухин, С. В. Иванов, “Гетероструктуры с квантовыми точками CdTe/ZnTe для излучателей одиночных фотонов, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 42:24 (2016), 64–71 ; S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Gronin, K. G. Belyaev, M. V. Rakhlin, A. A. Toropov, I. S. Mukhin, S. V. Ivanov, “Heterostructures with CdTe/ZnTe quantum dots for single photon emitters grown by molecular beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1163–1166 |
3
|
| 15. |
М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Г. В. Климко, С. В. Сорокин, И. В. Седова, С. В. Иванов, А. Е. Романов, “Комплексное использование дифракционных методов при профилировании по глубине параметра кристаллической решетки и состава градиентных слоев InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:9 (2016), 40–48 ; M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, G. V. Klimko, S. V. Sorokin, I. V. Sedova, S. V. Ivanov, A. E. Romanov, “Complex use of the diffraction techniques in depth profiling of the crystal lattice parameter and composition of InGaAs/GaAs gradient layers”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 464–467 |
6
|
|
2013 |
| 16. |
Е. В. Луценко, А. Г. Войнилович, Н. В. Ржеуцкий, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, С. В. Сорокин, С. В. Гронин, И. В. Седова, П. С. Копьев, С. В. Иванов, М. Аланзи, А. Хамидалддин, А. Альямани, “Лазер с оптической накачкой на квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe и микрочип-конвертер для желто-зеленого диапазона спектра”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 418–422 [E. V. Lutsenko, A. G. Voinilovich, N. V. Rzheutskii, V. N. Pavlovskii, G. P. Yablonskii, S. V. Sorokin, S. V. Gronin, I. V. Sedova, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, M. Alanzi, A. Hamidalddin, A. Alyamani, “Optically pumped quantum-dot Cd(Zn)Se/ZnSe laser and microchip converter for yellow–green spectral region”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 418–422 ] |
13
|
|
2008 |
| 17. |
С. В. Зайцев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, “Магнитооптика гетероструктур (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe с малым разрывом потенциала валентной зоны”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008), 922–926 ; S. V. Zaitsev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, “Magnetooptics of (Zn,Cd,Mn)Te/ZnTe heterostructures with a small discontinuity in the valence band potential”, JETP Letters, 88:12 (2008), 802–806 |
2
|
| 18. |
P. G. Baranov, N. G. Romanov, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, B. R. Namozov, Yu. G. Kusrayev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, “Evidence for Mn$^{2+}$ fine structure in CdMnSe/ZnSe quantum dots caused by their low dimensionality”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 724–728 ; JETP Letters, 88:9 (2009), 631–635 |
14
|
| 19. |
Е. Н. Донской, Е. В. Жданова, А. Н. Залялов, М. М. Зверев, С. В. Иванов, Д. В. Перегудов, О. Н. Петрушин, Ю. А. Савельев, И. В. Седова, С. В. Сорокин, М. Д. Тарасов, Ю. С. Шигаев, “Распределение плотности возбуждения в полупроводниковых лазерах на основе ZnSe с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 38:12 (2008), 1097–1100 [E. N. Donskoi, E. V. Zhdanova, A. N. Zalyalov, M. M. Zverev, S. V. Ivanov, D. V. Peregoudov, O. N. Petrushin, Yu. A. Savel'ev, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, M. D. Tarasov, Yu. S. Shigaev, “Excitation density distribution in electron-beam-pumped ZnSe semiconductor lasers”, Quantum Electron., 38:12 (2008), 1097–1100 ] |
4
|
|
2004 |
| 20. |
М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, И. В. Седова, С. В. Сорокин, С. В. Иванов, П. С. Копьев, “Низкопороговые полупроводниковые лазеры зеленого диапазона с накачкой электронным пучком на основе квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 34:10 (2004), 909–911 [M. M. Zverev, D. V. Peregoudov, I. V. Sedova, S. V. Sorokin, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, “Low-threshold electron-beam-pumped green quantum-well heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 34:10 (2004), 909–911 ] |
12
|
|
Обратная связь: