Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 56–62
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43996.8249 (Mi phts6258) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (639 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43996.8249
Аннотация: Методами локальной катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа проведено комплексное исследование широкозонных наногетероструктур на основе ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Было показано, что используемые методы позволяют неразрушающим способом определять глубину залегания, элементный состав и геометрические параметры наноразмерного слоя ZnCdSe. Точность результатов контролировалась методом просвечивающей электронной микроскопии. Методики исследования основаны на возможности варьирования энергии первичного электронного пучка, что приводит к изменению областей генерации характеристического рентгеновского излучения и катодолюминесценции.
Поступила в редакцию: 28.05.2016
Принята в печать: 24.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 54–60
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010080
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Б. Караваев, Д. А. Кириленко, Е. В. Иванова, Т. Б. Попова, А. А. Ситникова, И. В. Седова, М. В. Заморянская, “Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 56–62; Semiconductors, 51:1 (2017), 54–60
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarKirIva17}
\by М.~Б.~Караваев, Д.~А.~Кириленко, Е.~В.~Иванова, Т.~Б.~Попова, А.~А.~Ситникова, И.~В.~Седова, М.~В.~Заморянская
\paper Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 56--62
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6258}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43996.8249}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969406 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 54--60
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010080}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6258
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p56
    Синоним
    Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024