Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 10, страницы 1011–1017
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49936.9421 (Mi phts5132) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения

О. С. Комковa, С. А. Хахулинa, Д. Д. Фирсовa, П. С. Авдиенкоb, И. В. Седоваb, С. В. Сорокинb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (1325 kB) Список цитирования (11)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49936.9421
Аннотация: При молекулярно-пучковой эпитаксии GaSe на подложках GaAs(001) на гетероинтерфейсе GaSe/GaAs возникают встроенные электрические поля, о наличии которых свидетельствуют наблюдаемые в спектрах фотоотражения осцилляции Франца–Келдыша. Различные значения напряженностей этих полей (от 9.8 до 17.6 кВ/см) могут быть связаны как с диффузией атомов Se в подложку (буферный слой) GaAs, так и c формированием при эпитаксиальном росте переходных субмонослоев. На интерфейсе структур, выращенных на подложках GaAs(111)B и GaAs(112), встроенные поля не наблюдаются, что может быть объяснено меньшей эффективностью проникновения Se в подложку с вышеуказанными ориентациями по сравнению с GaAs(001).
Ключевые слова: GaSe, слоистые полупроводники, модуляционная оптическая спектроскопия, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотоотражение.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 18-79-10161
Работа частично поддержана грантом РНФ (№ 18-79-10161).
Поступила в редакцию: 27.04.2020
Исправленный вариант: 20.05.2020
Принята в печать: 20.05.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 10, Pages 1198–1204
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620100176
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. С. Комков, С. А. Хахулин, Д. Д. Фирсов, П. С. Авдиенко, И. В. Седова, С. В. Сорокин, “Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1011–1017; Semiconductors, 54:10 (2020), 1198–1204
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KomKhaFir20}
\by О.~С.~Комков, С.~А.~Хахулин, Д.~Д.~Фирсов, П.~С.~Авдиенко, И.~В.~Седова, С.~В.~Сорокин
\paper Исследование встроенных электрических полей на интерфейсе GaSe/GaAs методом спектроскопии фотоотражения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1011--1017
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5132}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.10.49936.9421}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44041209}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 10
\pages 1198--1204
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620100176}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5132
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i10/p1011
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024