|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония
М. В. Лебедевa, Т. В. Львоваa, А. Л. Шахминb, О. В. Рахимоваc, П. А. Дементьевa, И. В. Седоваa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследовались различные условия пассивации поверхности GaSb(100) растворами сульфида аммония ((NH$_4$)$_{2}$S) в зависимости от концентрации раствора, растворителя и времени обработки. Было показано, что обработка поверхности GaSb(100) всеми исследуемыми растворами (NH$_4$)$_{2}$S приводит к удалению слоя естественного окисла с поверхности полупроводника и формированию пассивирующего слоя, состоящего из различных сульфидов и оксидов галлия и сурьмы. Наименее шероховатая поверхность (RMS = 0.85 нм) была получена после обработки полупроводника 4%-м водным раствором сульфида аммония в течение 30 мин. При этом соотношение атомных концентраций Ga/Sb на поверхности составляло $\sim$2. Также было установлено, что водные растворы сульфида аммония не реагируют с элементарной сурьмой, входящей в состав слоя естественного окисла и являющейся причиной токов утечки и пиннинга уровня Ферми на поверхности GaSb(100). Однако 4%-й раствор (NH$_4$)$_{2}$S в изопропиловом спирте удаляет элементарную сурьму практически полностью, при этом поверхность полупроводника остается стехиометричной при длительности обработки до 13 мин.
Ключевые слова:
антимонид галлия, пассивация поверхности, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, сульфид аммония, влияние растворителя.
Поступила в редакцию: 23.01.2019 Исправленный вариант: 08.02.2019 Принята в печать: 12.02.2019
Образец цитирования:
М. В. Лебедев, Т. В. Львова, А. Л. Шахмин, О. В. Рахимова, П. А. Дементьев, И. В. Седова, “Эволюция физико-химических свойств поверхности GaSb(100) в растворах сульфида аммония”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 908–916; Semiconductors, 53:7 (2019), 892–900
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5454 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i7/p908
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 8 |
|