|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, Д. А. Здоровейщев, “Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt”, УФН, 193:3 (2023), 331–339  ; Yu. M. Kuznetsov, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, D. A. Zdoroveyshchev, “Galvanomagnetic and thermomagnetic phenomena in thin metal CoPt films”, Phys. Usp., 66:3 (2023), 312–319   |
1
|
|
2021 |
| 2. |
В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873  ; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035 |
2
|
| 3. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, Ю. А. Дудин, А. В. Кудрин, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, С. А. Никитов, А. В. Садовников, “Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 324–332 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, Yu. A. Dudin, A. V. Kudrin, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, S. A. Nikitov, A. V. Sadovnikov, “Effect of ion irradiation on the magnetic properties of CoPt films”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 386–394 |
7
|
| 4. |
М. В. Дорохин, М. С. Болдин, Е. А. Ускова, А. В. Боряков, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, В. Е. Котомина, Ю. М. Кузнецов, Е. А. Ланцев, А. А. Попов, В. Н. Трушин, “Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании”, ЖТФ, 91:12 (2021), 1975–1983 |
| 5. |
Д. А. Антонов, Д. О. Филатов, А. С. Новиков, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni”, ЖТФ, 91:10 (2021), 1474–1478 |
| 6. |
М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, “Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1409–1414 ; M. V. Dorokhin, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, “Methods for switching radiation polarization in GaAs laser diodes”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1194–1199 |
| 7. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 38–41 |
| 8. |
Д. А. Антонов, А. С. Новиков, Д. О. Филатов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, А. В. Здоровейщев, О. Н. Горшков, “Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)”, Письма в ЖТФ, 47:11 (2021), 30–32 ; D. A. Antonov, A. S. Novikov, D. O. Filatov, A. V. Kruglov, I. N. Antonov, A. V. Zdoroveyshchev, O. N. Gorshkov, “The formation of nanosized ferromagnetic Ni filaments in films of ZrO$_2$(Y)”, Tech. Phys. Lett., 47:7 (2021), 539–541 |
1
|
|
2020 |
| 9. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, Е. А. Ларионова, В. А. Ковальский, О. А. Солтанович, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 373–380 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, E. A. Larionova, V. A. Koval'skii, O. A. Soltanovich, “Diode heterostructures with a ferromagnetic (Ga, Mn)As layer”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 423–430 |
1
|
| 10. |
M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. M. Kuznetsov, I. V. Erofeeva, A. V. Zdoroveyshchev, M. S. Boldin, E. A. Lantsev, A. A. Popov, E. A. Uskova, V. N. Trushin, “Nanostructured SiGe:Sb solid solutions with improved thermoelectric figure of merit”, Наносистемы: физика, химия, математика, 11:6 (2020), 680–684 |
1
|
| 11. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 |
1
|
| 12. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 17–20 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694 |
| 13. |
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев, “Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 40–43 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, E. I. Malysheva, A. V. Kudrin, M. V. Ved, A. V. Zdoroveyshchev, “Long-range magnetic interaction in InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 87–90 |
1
|
|
2019 |
| 14. |
М. В. Дорохин, Ю. М. Кузнецов, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, И. В. Ерофеева, “Исследования термоэлектрических свойств сверхрешеток на основе силицида марганца и германия”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2344–2348 ; M. V. Dorokhin, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Zdoroveyshchev, P. B. Demina, I. V. Erofeeva, “Studies of thermoelectric properties of superlattices based on manganese silicide and germanium”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2348–2352 |
2
|
| 15. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Ю. А. Дудин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, С. А. Никитов, А. В. Садовников, “Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1694–1699 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, Yu. A. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, S. A. Nikitov, A. V. Sadovnikov, “Modifying the magnetic properties of the CoPt alloy by ion irradiation”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1646–1651 |
9
|
| 16. |
А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, “Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1628–1633 ; A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, “Micromagnetic and magneto-optical properties of ferromagnetic/heavy metal thin film structures”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1577–1582 |
5
|
| 17. |
А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, Ю. В. Никулин, Ю. В. Хивинцев, С. А. Никитов, “Формирование магнитных наноструктур с помощью зонда атомно-силового микроскопа”, ЖТФ, 89:11 (2019), 1807–1812 ; A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, Yu. V. Nikulin, Yu. V. Khivintsev, S. A. Nikitov, “Formation of magnetic nanostructures using an atomic force microscope probe”, Tech. Phys., 64:11 (2019), 1716–1721 |
| 18. |
Д. С. Прохоров, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Д. О. Филатов, А. В. Здоровейщев, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, Н. А. Байдакова, “Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296 ; D. S. Prokhorov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, D. O. Filatov, A. V. Zdoroveyshchev, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, N. A. Baidakova, “Enhanced photoluminescence of heavily doped $n$-Ge/Si(001) layers”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265 |
| 19. |
М. В. Дорохин, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, М. С. Болдин, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, “Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1182–1188 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, I. V. Erofeeva, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. M. Kuznetsov, M. S. Boldin, A. A. Popov, E. A. Lantsev, A. V. Boryakov, “In-situ doping of thermoelectric materials based on SiGe solid solutions during their synthesis by the spark plasma sintering technique”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1158–1163 |
4
|
| 20. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 |
1
|
| 21. |
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Буданов, Ю. Н. Власов, Г. И. Котов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Б. Н. Звонков, “Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 52–55 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Budanov, Yu. N. Vlasov, G. I. Kotov, A. V. Zdoroveyshchev, V. N. Trushin, B. N. Zvonkov, “Enhancing the circular polarization of spin light-emitting diodes by processing in selenium vapor”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 235–238 |
3
|
|
2018 |
| 22. |
А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, П. Б. Дёмина, “Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2236–2239 ; A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, P. B. Demina, “Detectors of circularly polarized radiation based on semiconductor heterostructures with a CoPt Schottky barrier”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2276–2279 |
1
|
| 23. |
А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, “Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2158–2165 ; A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Kudrin, “Formation of a domain structure in multilayer CoPt films by magnetic probe of an atomic force microscope”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2200–2206 |
21
|
| 24. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146 |
1
|
| 25. |
M. V. Dorokhin, I. V. Erofeeva, Yu. M. Kuznetsov, M. V. Boldin, A. V. Boryakov, A. A. Popov, E. A. Lantsev, N. V. Sakharov, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, V. N. Trushin, “Investigation of the initial stages of spark-plasma sintering of Si-Ge based thermoelectric materials”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:5 (2018), 622–630 |
4
|
| 26. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, В. Е. Котомина, “Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1455–1459 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. M. Kuznetsov, A. A. Popov, E. A. Lantsev, A. V. Boryakov, V. E. Kotomina, “Production of Si- and Ge-based thermoelectric materials by spark plasma sintering”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1559–1563 |
4
|
| 27. |
Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880 ; G. E. Yakovlev, M. V. Dorokhin, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, “Specific features of the electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011 |
8
|
|
2017 |
| 28. |
А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, О. В. Вихрова, И. Л. Калентьева, М. В. Ведь, “Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2203–2205 ; A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, I. L. Kalentyeva, M. V. Ved, “Photoconductive detector of circularly polarized radiation based on a MIS structure with a CoPt layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2223–2225 |
6
|
| 29. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, М. В. Ведь, Ю. А. Данилов, “Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2142–2147 ; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, “Control of circular polarization of electroluminescence in spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167 |
1
|
| 30. |
М. В. Дорохин, М. В. Ведь, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Рыков, Ю. М. Кузнецов, “Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2135–2141 ; M. V. Dorokhin, M. V. Ved, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, A. V. Rykov, Yu. M. Kuznetsov, “Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2155–2161 |
5
|
| 31. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, I. Yu. Pashen'kin, S. M. Plankina, “Modification of the properties of ferromagnetic layers based on A$^{3}$B$^{5}$ compounds by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154 |
6
|
| 32. |
М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544 ; M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 |
4
|
| 33. |
М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. I. Фотолюминесцентные свойства”, ЖТФ, 87:9 (2017), 1389–1394 ; M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped by transition elements. Part I: Photoluminescence properties”, Tech. Phys., 62:9 (2017), 1398–1402 |
1
|
| 34. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Ю. М. Кузнецов, А. В. Здоровейщев, Е. А. Питиримова, “Термоэлектрические эффекты в наноразмерных слоях силицида марганца”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1456–1461 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Zdoroveyshchev, E. A. Pitirimova, “Thermoelectric effects in nanoscale layers of manganese silicide”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1403–1408 |
4
|
| 35. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
| 36. |
Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. Е. Котомина, “Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1443–1446 ; B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. E. Kotomina, “Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1391–1394 |
| 37. |
В. А. Кукушкин, Д. Б. Радищев, М. А. Лобаев, С. А. Богданов, А. В. Здоровейщев, И. И. Чунин, “Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза”, Письма в ЖТФ, 43:24 (2017), 65–71 ; V. A. Kukushkin, D. B. Radishev, M. A. Lobaev, S. A. Bogdanov, A. V. Zdoroveyshchev, I. I. Chunin, “A CVD diamond-based photodetector for the visible and near-IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1121–1123 |
3
|
|
2016 |
| 38. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, М. В. Ведь, “Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2190–2194 ; E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Ved, “Tunneling and injection in ferromagnetic structures InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As and InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2271–2276 |
4
|
| 39. |
А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, О. В. Вихрова, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, “Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2186–2189 ; A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, O. V. Vikhrova, P. B. Demina, A. V. Kudrin, A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, “Properties of CoPt ferromagnetic layers for application in spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2267–2270 |
14
|
| 40. |
Ю. А. Данилов, H. Boudinov, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. А. Питиримова, Р. Р. Якубов, “Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2140–2144 ; Yu. A. Danilov, H. Boudinov, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, E. A. Pitirimova, R. R. Yakubov, “Formation of the single-phase ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2218–2222 |
4
|
| 41. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, “Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1473–1478 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, “On the crystal structure and thermoelectric properties of thin MnSi$_{x}$ films”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1453–1457 |
1
|
| 42. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
| 43. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, “Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 204–207 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, “GaAs structures with a gate dielectric based on aluminum-oxide layers”, Semiconductors, 50:2 (2016), 204–207 |
1
|
| 44. |
А. В. Рыков, М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, П. Б. Демина, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, “Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 3–8 ; A. V. Rykov, M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, “Effect of the dopant concentration on the luminescence properties of InGaAs/GaAs spin light-emitting diodes with a mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 50:1 (2016), 1–7 |
2
|
|
Обратная связь: