|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 11, страницы 1473–1478
(Mi phts6310)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Методом импульсного лазерного осаждения получены тонкие (25 нм) пленки Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ на Si(100). По данным высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии, пленки представляют собой нанотекстурированный кристалл химически однородного состава. Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и термоэдс в интервале 300–500 K, рассчитана температурная зависимость коэффициента Зеебека и фактора мощности.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016
Образец цитирования:
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, “Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1473–1478; Semiconductors, 50:11 (2016), 1453–1457
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6310 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i11/p1473
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 10 |
|