Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 3–8 (Mi phts6554)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn

А. В. Рыков, М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, П. Б. Демина, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (457 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследованы люминесцентные свойства светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaAs/InGaAs со слоями, легированными Mn. Получены зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесценции от ростовых параметров – содержания Mn, концентрации дырок. Обнаружено монотонное увеличение степени циркулярной поляризации электролюминесценции и температуры Кюри ферромагнитной структуры с ростом концентрации дырок, а также изменение знака степени циркулярной поляризации в зависимости от содержания Mn. Полученные данные объясняются с точки зрения известных моделей ферромагнетизма в структурах на основе ферромагнитных полупроводников.
Поступила в редакцию: 22.04.2015
Принята в печать: 22.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 1–7
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261601019X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Рыков, М. В. Дорохин, Е. И. Малышева, П. Б. Демина, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, “Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 3–8; Semiconductors, 50:1 (2016), 1–7
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RykDorMal16}
\by А.~В.~Рыков, М.~В.~Дорохин, Е.~И.~Малышева, П.~Б.~Демина, О.~В.~Вихрова, А.~В.~Здоровейщев
\paper Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с $\delta$-слоем Mn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 3--8
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6554}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25667978}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 1--7
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261601019X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6554
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p3
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024