Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2020, том 46, выпуск 2, страницы 40–43
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48952.18069 (Mi pjtf5214) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$

М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (113 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48952.18069
Аннотация: Исследована низкотемпературная циркулярно поляризованная электролюминесценция в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$. Установлено, что степень циркулярной поляризации слабо зависит от величины пространственного разнесения активной области и магнитного слоя и сохраняется даже при толщине спейсерного слоя, равной 12 nm. Полученный эффект связывается с дальнодействующим взаимодействием носителей заряда и ионов Mn.
Ключевые слова: разбавленные магнитные полупроводники, циркулярная поляризация, гетероструктуры, обменное взаимодействие.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-1708.2019.2
Работа выполнена при поддержке гранта Президента РФ МД-1708.2019.2.
Поступила в редакцию: 10.10.2019
Исправленный вариант: 24.10.2019
Принята в печать: 24.10.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2020, Volume 46, Issue 1, Pages 87–90
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785020010204
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев, “Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 40–43; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 87–90
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorDemMal20}
\by М.~В.~Дорохин, П.~Б.~Дёмина, Е.~И.~Малышева, А.~В.~Кудрин, М.~В.~Ведь, А.~В.~Здоровейщев
\paper Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2020
\vol 46
\issue 2
\pages 40--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5214}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2020.02.48952.18069}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42776866}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2020
\vol 46
\issue 1
\pages 87--90
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785020010204}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5214
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p40
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025