|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Исследована низкотемпературная циркулярно поляризованная электролюминесценция в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$. Установлено, что степень циркулярной поляризации слабо зависит от величины пространственного разнесения активной области и магнитного слоя и сохраняется даже при толщине спейсерного слоя, равной 12 nm. Полученный эффект связывается с дальнодействующим взаимодействием носителей заряда и ионов Mn.
Ключевые слова:
разбавленные магнитные полупроводники, циркулярная поляризация, гетероструктуры, обменное взаимодействие.
Поступила в редакцию: 10.10.2019 Исправленный вариант: 24.10.2019 Принята в печать: 24.10.2019
Образец цитирования:
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев, “Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 40–43; Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 87–90
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5214 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v46/i2/p40
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 19 |
|