Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1182–1188
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48121.04
(Mi phts5399)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания

М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, И. В. Ерофееваa, А. В. Здоровейщевa, Ю. М. Кузнецовa, М. С. Болдинa, А. А. Поповa, Е. А. Ланцевa, А. В. Боряковb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Представлены результаты исследования термоэлектрических материалов, сформированных методом электроимпульсного плазменного спекания, и представляющих собой твeрдые растворы Ge$_{x}$Si$_{1-x}$, легированные атомами Sb до концентрации в пределах 0–5 ат%. Получено, что при концентрации Sb ниже 1 ат% осуществляется эффективное легирование твeрдого раствора в процессе спекания, которое позволяет сформировать термоэлектрический материал со сравнительно высоким коэффициентом термоэлектрической добротности. Повышение концентрации сурьмы в диапазоне 1–5 ат% приводит к изменению механизма легирования, результатом которого является повышение сопротивления материалов и собирания Sb в крупные кластеры. Для таких материалов отмечается существенное снижение коэффициента Зеебека и термоэлектрической добротности. Наибольшее полученное значение коэффициента термоэлектрической добротности ZT при легировании атомами Sb составило 0.32 при 350$^\circ$С, что сопоставимо с известными аналогами для твeрдого раствора Ge$_{x}$Si$_{1-x}$.
Ключевые слова: термоэлектричество, твердый раствор Ge$_{x}$Si$_{1-x}$, легирование, кластеры, Sb, плазменное спекание.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-20173
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ (проект 17-79-20173).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1158–1163
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090045
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Дорохин, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, М. С. Болдин, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, “Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1182–1188; Semiconductors, 53:9 (2019), 1158–1163
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DorDemEro19}
\by М.~В.~Дорохин, П.~Б.~Демина, И.~В.~Ерофеева, А.~В.~Здоровейщев, Ю.~М.~Кузнецов, М.~С.~Болдин, А.~А.~Попов, Е.~А.~Ланцев, А.~В.~Боряков
\paper Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1182--1188
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5399}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48121.04}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129857}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1158--1163
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090045}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5399
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1182
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:65
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024