|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.
Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания
М. В. Дорохинa, П. Б. Деминаa, И. В. Ерофееваa, А. В. Здоровейщевa, Ю. М. Кузнецовa, М. С. Болдинa, А. А. Поповa, Е. А. Ланцевa, А. В. Боряковb a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Представлены результаты исследования термоэлектрических материалов, сформированных методом электроимпульсного плазменного спекания, и представляющих собой твeрдые растворы Ge$_{x}$Si$_{1-x}$, легированные атомами Sb до концентрации в пределах 0–5 ат%. Получено, что при концентрации Sb ниже 1 ат% осуществляется эффективное легирование твeрдого раствора в процессе спекания, которое позволяет сформировать термоэлектрический материал со сравнительно высоким коэффициентом термоэлектрической добротности. Повышение концентрации сурьмы в диапазоне 1–5 ат% приводит к изменению механизма легирования, результатом которого является повышение сопротивления материалов и собирания Sb в крупные кластеры. Для таких материалов отмечается существенное снижение коэффициента Зеебека и термоэлектрической добротности. Наибольшее полученное значение коэффициента термоэлектрической добротности ZT при легировании атомами Sb составило 0.32 при 350$^\circ$С, что сопоставимо с известными аналогами для твeрдого раствора Ge$_{x}$Si$_{1-x}$.
Ключевые слова:
термоэлектричество, твердый раствор Ge$_{x}$Si$_{1-x}$, легирование, кластеры, Sb, плазменное спекание.
Поступила в редакцию: 24.04.2019 Исправленный вариант: 29.04.2019 Принята в печать: 29.04.2019
Образец цитирования:
М. В. Дорохин, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, М. С. Болдин, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, “Легирование термоэлектрических материалов на основе твeрдых растворов SiGe в процессе их синтеза методом электроимпульсного плазменного спекания”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1182–1188; Semiconductors, 53:9 (2019), 1158–1163
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5399 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1182
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 65 | PDF полного текста: | 25 |
|