Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11, страницы 2190–2194 (Mi ftt9786)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Физика поверхности, тонкие пленки

Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As

Е. И. Малышеваa, М. В. Дорохинa, А. В. Здоровейщевa, М. В. Ведьb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (310 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/$n^{+}$-GaAs путем варьирования параметров $n^{+}$-GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 11, Pages 2271–2276
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416110238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, М. В. Ведь, “Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2190–2194; Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2271–2276
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalDorZdo16}
\by Е.~И.~Малышева, М.~В.~Дорохин, А.~В.~Здоровейщев, М.~В.~Ведь
\paper Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/$n^{+}$-GaAs/(Ga,Mn)As
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2190--2194
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9786}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368823}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2271--2276
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416110238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9786
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i11/p2190
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024