|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, А. И. Андрианов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Н. В. Байдусь, Д. В. Юрасов, А. В. Рыков, “Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 978–988   |
| 2. |
В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 23–26 |
| 3. |
А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, И. В. Самарцев, П. А. Юнин, В. Г. Шенгуров, А. В. Зайцев, Н. В. Байдусь, “Влияние состава зародышевого слоя AlGaAs на формирование антифазных доменов в структурах (Al)GaAs, выращенных газофазной эпитаксией на подложках Ge/Si(100)”, Письма в ЖТФ, 47:8 (2021), 37–40 ; A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. И. Белов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1741–1749 ; S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676 |
| 5. |
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46 ; O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 |
5
|
|
2019 |
| 6. |
Д. С. Прохоров, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, Д. О. Филатов, А. В. Здоровейщев, В. Ю. Чалков, А. В. Зайцев, М. В. Ведь, М. В. Дорохин, Н. А. Байдакова, “Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) $n$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1293–1296 ; D. S. Prokhorov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, D. O. Filatov, A. V. Zdoroveyshchev, V. Yu. Chalkov, A. V. Zaitsev, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, N. A. Baidakova, “Enhanced photoluminescence of heavily doped $n$-Ge/Si(001) layers”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1262–1265 |
| 7. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, “Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 |
1
|
| 8. |
В. Г. Шенгуров, Д. О. Филатов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Зайцев, “Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1267–1270 ; V. G. Shengurov, D. O. Filatov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. A. Alyabina, A. V. Zaitsev, “Tunnel diodes based on $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001) epitaxial structures grown by the hot-wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1238–1241 |
1
|
|
2018 |
| 9. |
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655 ; M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 |
1
|
| 10. |
D. O. Filatov, D. V. Guseinov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 505 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 590–592 |
1
|
|
2017 |
| 11. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, А. П. Горшков, В. П. Мишкин, “Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 563–568 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, A. P. Gorshkov, V. P. Mishkin, “Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si $p$–$n$ photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy”, Semiconductors, 51:4 (2017), 536–541 |
1
|
|
2016 |
| 12. |
А. Н. Яблонский, С. В. Морозов, Д. М. Гапонова, В. Я. Алешкин, В. Г. Шенгуров, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Н. В. Байдусь, З. Ф. Красильник, “Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1455–1458 ; A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 |
3
|
| 13. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, С. А. Матвеев, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. О. Филатов, М. В. Степихова, З. Ф. Красильник, “Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей “горячей проволоке” из Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1270–1275 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, S. A. Matveev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. O. Filatov, M. V. Stepikhova, Z. F. Krasil'nik, “Conditions of growth of high-quality relaxed Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1248–1253 |
1
|
| 14. |
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353 ; A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 |
4
|
| 15. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, “Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 94–101 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, “A random telegraph signal in tunneling silicon $p$–$n$ junctions with GeSi nanoislands”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 435–437 |
|
2015 |
| 16. |
П. Б. Болдыревский, А. Г. Коровин, С. А. Денисов, С. П. Светлов, В. Г. Шенгуров, “Анализ неравномерности толщины эпитаксиального слоя кремния при осаждении из сублимационных источников в вакууме”, Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2015, № 4, 93–100 |
|
2014 |
| 17. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797   |
4
|
|
2005 |
| 18. |
М. В. Степихова, Д. М. Жигунов, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Тимошенко, Л. В. Красильникова, В. Ю. Чалков, С. П. Светлов, О. А. Шалыгина, П. К. Кашкаров, З. Ф. Красильник, “Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия”, Письма в ЖЭТФ, 81:10 (2005), 614–617 ; M. V. Stepikhova, D. M. Zhigunov, V. G. Shengurov, V. Yu. Timoshenko, L. V. Krasil’nikova, V. Yu. Chalkov, S. P. Svetlov, O. A. Shalygina, P. K. Kashkarov, Z. F. Krasil'nik, “Population inversion of the energy levels of erbium ions induced by excitation transfer from the semiconductor matrix in Si-Ge based structures”, JETP Letters, 81:10 (2005), 494–497 |
12
|
|
Обратная связь: