Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 9, страницы 1271–1274
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48137.20 (Mi phts5415) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$

А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (925 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48137.20
Аннотация: Сформирована и исследована GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/Ge-гетероструктура, выращенная на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$(1$\bar1$02). Буферный слой Ge получен методом “горячей проволоки”, а A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ слои с помощью газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Для определения оптического качества A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ слоев использована спектроскопия фотолюминесценции. Структурные исследования проведены с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Элементный состав определен методом рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии. В данной работе была показана возможность роста монокристаллического слоя GaAs на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$ через AlAs/GaAs/AlAs/Ge-буферные слои.
Ключевые слова: гетероэпитаксия, просвечивающая электронная микроскопия, подложка сапфира, слой GaAs, спектры фотолюминесценции.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-32-00636
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.7443.2017/БЧ
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 18-32-00636 – МОС-гидридная эпитаксия и измерения ФЛ) и Министерства образования и науки Российской Федерации (проект № 16.7443.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 9, Pages 1242–1245
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619090227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, “Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274; Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SusPavShe19}
\by А.~А.~Сушков, Д.~А.~Павлов, В.~Г.~Шенгуров, С.~А.~Денисов, В.~Ю.~Чалков, Н.~В.~Байдусь, А.~В.~Рыков, Р.~Н.~Крюков
\paper Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1271--1274
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5415}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.09.48137.20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129879}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 9
\pages 1242--1245
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619090227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5415
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1271
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024