Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии

Методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии исследовано пространственное распределение фототока в плоскости $p^{+}$–$n$-перехода на базе Si cо встроенными самоформирующимися наноостровками Ge$_{x}$Si$_{1-x}$ ($x\approx$ 0.35) при локальном фотовозбуждении зондом микроскопа на длине волны излучения 1310 нм, большей красной границы собственной фоточувствительности Si. На изображениях фототока (картах пространственного распределения фототока в плоскости фотоприемного окна $p^{+}$–$n$-фотодиода) обнаружены неоднородности, связанные с межзонным оптическим поглощением в наноостровках GeSi. Результаты работы показывают возможность визуализации индивидуальных наноостровков GeSi на изображениях фототока с пространственным разрешением $\sim$100 нм.