Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 505 (Mi phts5831)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Characterization

Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands

D. O. Filatov, D. V. Guseinov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov

Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod
PDF полного текста (26 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Ballistic hole emission microscopy/spectroscopy has been applied to study the electronic structure of the hole states in the self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands. The ballistic hole emission microscopic images demonstrated the spots of increased collector current related to the ballistic electron tunnelling via the confined valence band states in the GeSi/Si(001) nanoislands. In the ballistic hole emission spectra of the Ge hut clusters the stepwise features attributed to the quantum confined hole states have been observed. The results of present study demonstrate the capabilities of the ballistic hole emission microscopy/spectroscopy in the characterization of the electronic structures of the valence band states in the GeSi/Si nanostructures.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.16.7443.2017
This work has been supported by Ministry of Education and Science of Russian Federation (Project 16.16.7443.2017).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 590–592
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. O. Filatov, D. V. Guseinov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 505; Semiconductors, 52:5 (2018), 590–592
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FilGusCha18}
\by D.~O.~Filatov, D.~V.~Guseinov, V.~Yu.~Chalkov, S.~A.~Denisov, V.~G.~Shengurov
\paper Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 505
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5831}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740369}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 590--592
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050068}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5831
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p505
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024