|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.
Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки
В. Г. Шенгуров, Д. О. Филатов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Зайцев Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Методом разложения GeH$_{4}$ на горячей проволоке при низкой температуре подложки ($\sim$325$^\circ$C) получены эпитаксиальные структуры $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), на основе которых сформированы лабораторные макеты туннельных диодов, допускающих монолитную интеграцию в интегральные схемы на основе Si. Легирование слоeв $n^{+}$-Ge донорной примесью (P) до концентраций $>$ 1 $\cdot$ 10$^{19}$ см$^{-3}$ осуществлялось с применением термического разложения GaP. На вольт-амперных характеристиках туннельных диодов наблюдались выраженные участки отрицательного дифференциального сопротивления.
Ключевые слова:
туннельный диод, структуры Ge/Si, метод горячей проволоки.
Поступила в редакцию: 24.04.2019 Исправленный вариант: 29.04.2019 Принята в печать: 29.04.2019
Образец цитирования:
В. Г. Шенгуров, Д. О. Филатов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Зайцев, “Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1267–1270; Semiconductors, 53:9 (2019), 1238–1241
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5414 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i9/p1267
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 11 |
|