Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 350–353 (Mi phts6515)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства

А. П. Деточенкоa, С. А. Денисовab, М. Н. Дроздовb, А. И. Машинa, В. А. Гавваc, А. Д. Булановac, А. В. Неждановa, А. А. Ежевскийa, М. В. Степиховаab, В. Ю. Чалковa, В. Н. Трушинa, Д. В. Шенгуровab, В. Г. Шенгуровa, N. V. Abrosimovd, H. Riemannd

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
d Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
PDF полного текста (542 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния $^{30}$Si или $^{28}$Si и (или) газового источника моногермана $^{74}$GeH$_{4}$. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев $^{30}$Si, $^{28}$Si, $^{74}$Ge и $^{30}$Si$_{1-x}^{74}$Ge$_{x}$. Слои $^{30}$Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 09.09.2015
Принята в печать: 09.09.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 345–348
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030064
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353; Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DetDenDro16}
\by А.~П.~Деточенко, С.~А.~Денисов, М.~Н.~Дроздов, А.~И.~Машин, В.~А.~Гавва, А.~Д.~Буланов, А.~В.~Нежданов, А.~А.~Ежевский, М.~В.~Степихова, В.~Ю.~Чалков, В.~Н.~Трушин, Д.~В.~Шенгуров, В.~Г.~Шенгуров, N.~V.~Abrosimov, H.~Riemann
\paper Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 350--353
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6515}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668177}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 345--348
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030064}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6515
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p350
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024