|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 350–353
(Mi phts6515)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства
А. П. Деточенкоa, С. А. Денисовab, М. Н. Дроздовb, А. И. Машинa, В. А. Гавваc, А. Д. Булановac, А. В. Неждановa, А. А. Ежевскийa, М. В. Степиховаab, В. Ю. Чалковa, В. Н. Трушинa, Д. В. Шенгуровab, В. Г. Шенгуровa, N. V. Abrosimovd, H. Riemannd a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Институт химии высокочистых веществ РАН им. Г. Г. Девятых, г. Нижний Новгород
d Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
Аннотация:
Продемонстрирована технология выращивания слоев Si, Ge и Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием сублимационного источника моноизотопного кремния $^{30}$Si или $^{28}$Si и (или) газового источника моногермана $^{74}$GeH$_{4}$. Все эпитаксиальные слои имели хорошее кристаллическое качество. Данные вторично-ионной масс-спектроскопии и комбинационного рассеяния света свидетельствуют о высокой изотопной чистоте и структурном совершенстве эпитаксиальных слоев $^{30}$Si, $^{28}$Si, $^{74}$Ge и $^{30}$Si$_{1-x}^{74}$Ge$_{x}$. Слои $^{30}$Si, легированные эрбием, демонстрируют эффективный сигнал фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 09.09.2015 Принята в печать: 09.09.2015
Образец цитирования:
А. П. Деточенко, С. А. Денисов, М. Н. Дроздов, А. И. Машин, В. А. Гавва, А. Д. Буланов, А. В. Нежданов, А. А. Ежевский, М. В. Степихова, В. Ю. Чалков, В. Н. Трушин, Д. В. Шенгуров, В. Г. Шенгуров, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si$_{1-x}$Ge$_{x}$: получение и некоторые свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 350–353; Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6515 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p350
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 9 |
|