|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge
М. М. Ивановаab, А. Н. Качемцевa, А. Н. Михайловb, Д. О. Филатовb, А. П. Горшковb, Н. С. Волковаb, В. Ю. Чалковb, В. Г. Шенгуровb a Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Приведены результаты сравнительного исследования влияния импульсного $\gamma$-нейтронного облучения на спектры фоточувствительности Si $p$–$n$-фотодиодов с активной областью на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi и эпитаксиальных слоев Ge. Установлено, что облучение фотодиодов с наноостровками GeSi не приводит к деградации фоточувствительности в спектральной области межзонного оптического поглощения в наноостровках (диапазон длин волн 1.1–1.7 мкм). В то же время обнаружено монотонное ослабление собственной фоточувствительности Si, а также фоточувствительности фотодиодов на базе эпитаксиальных слоев Ge с ростом дозы облучения, связанное с накоплением радиационных дефектов в матрице Si и в глубине эпитаксиальных слоев Ge соответственно.
Поступила в редакцию: 20.06.2017 Принята в печать: 28.06.2017
Образец цитирования:
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655; Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5817 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p651
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 10 |
|