|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский, “Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022), 608–613  ; V. A. Zinovyev, A. F. Zinovieva, V. A. Volodin, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, A. Yu. Krupin, L. V. Kulik, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, A. V. Dvurechenskii, “Synthesis of epitaxial structures with two-dimensional si layers embedded in a CaF$_2$ dielectric matrix”, JETP Letters, 116:9 (2022), 628–633 |
2
|
|
2021 |
| 2. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 139–146  ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
Ю. Б. Болховитянов, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, “Образование дислокационных пар в гетероструктуре Ge/GeSi/Si(001)”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 284–287 ; Yu. B. Bolkhovityanov, A. K. Gutakovskii, A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, “Forming dislocation pairs in the Ge/GeSi/Si(001) heterostructure”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 145–148 |
| 4. |
С. А. Бацанов, А. К. Гутаковский, “Анализ закономерностей формирования нанокристаллов сульфидов металлов, синтезированных с применением технологии Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖЭТФ, 109:11 (2019), 734–738 ; S. A. Batsanov, A. K. Gutakovsky, “Analysis of the properties of metal sulfide nanocrystals synthesized by the Langmuir—Blodgett technique”, JETP Letters, 109:11 (2019), 700–703   |
1
|
| 5. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, А. К. Гутаковский, Л. В. Кулик, А. С. Богомяков, С. Б. Эренбург, С. В. Трубина, М. Фёльсков, “Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем”, Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019), 258–264 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. V. Katsyuba, A. V. Dvurechenskii, A. K. Gutakovskii, L. V. Kulik, A. S. Bogomyakov, S. B. Erenburg, S. V. Trubina, M. Voelskow, “Electron paramagnetic resonance in Ge/Si heterostructures with Mn-doped quantum dots”, JETP Letters, 109:4 (2019), 270–275 |
| 6. |
Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, “Строение сегнетоэлектрических пленок Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117 ; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, “Structure of Hf$_{0.9}$La$_{0.1}$O$_2$ ferroelectric films obtained by the atomic layer deposition”, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120 |
5
|
| 7. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1167–1171 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on Si substrates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147 |
7
|
|
2018 |
| 8. |
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1280–1285 ; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Spinodal decomposition in InSb/AlAs heterostructures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397 |
5
|
|
2017 |
| 9. |
А. К. Гутаковский, А. Б. Талочкин, “Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния”, Письма в ЖЭТФ, 106:12 (2017), 746–751 ; A. K. Gutakovskii, A. B. Talochkin, “Strain in ultrathin SiGeSn layers in a silicon matrix”, JETP Letters, 106:12 (2017), 780–784 |
| 10. |
Д. В. Гуляев, С. А. Бацанов, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, “Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017), 21–25 ; D. V. Gulyaev, S. A. Batsanov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, “Nature of luminescence of PbS quantum dots synthesized in a Langmuir–Blodgett matrix”, JETP Letters, 106:1 (2017), 18–22 |
| 11. |
А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904 ; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 |
8
|
| 12. |
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1282–1288 ; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1233–1239 |
5
|
|
2016 |
| 13. |
Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016), 785–791 ; D. S. Abramkin, K. M. Rumynin, A. K. Bakarov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Quantum dots formed in InSb/AlAs and AlSb/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 103:11 (2016), 692–698 |
15
|
| 14. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
2014 |
| 15. |
D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP
heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014), 81–86 ; JETP Letters, 99:2 (2014), 76–81 |
8
|
|
2012 |
| 16. |
T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, M. A. Putyato, “Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012), 601–603 ; JETP Letters, 95:10 (2012), 534–536 |
12
|
|
2011 |
| 17. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, А. В. Латышев, “Самопроизвольная модуляция состава при
молекулярно-лучевой эпитаксии Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301)”, Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011), 348–352 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, A. V. Latyshev, “Spontaneous composition modulation during Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te(301) molecular beam epitaxy”, JETP Letters, 94:4 (2011), 324–328 |
5
|
|
2010 |
| 18. |
C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437 ; S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Il'in, A. K. Gutakovskii, A. V. Kolesnikov, “Initial stages of Ge epitaxy on Si(111) under quasi-equilibrium growth conditions”, JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395 |
13
|
|
2005 |
| 19. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Латышев, “Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 326–330 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Latyshev, “Observation of antiphase domains in Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1−x</sub>Te films on silicon by the phase contrast method in atomic force microscopy”, JETP Letters, 82:5 (2005), 292–296 |
4
|
| 20. |
С. С. Косолобов, С. А. Цонг, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Латышев, “Нестабильность распределения атомных ступеней на Si(111) при субмонослойной адсорбции золота при высоких температурах”, Письма в ЖЭТФ, 81:3 (2005), 149–153 ; S. S. Kosolobov, S. A. Song, L. I. Fedina, A. K. Gutakovskii, A. V. Latyshev, “Instability of the distribution of atomic steps on Si(111) upon submonolayer gold adsorption at high temperatures”, JETP Letters, 81:3 (2005), 117–121 |
9
|
| 21. |
Д. Д. Ри, В. Г. Мансуров, А. Ю. Никитин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, П. Тронк, “Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN”, Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005), 70–73 ; D. D. Ri, V. G. Mansurov, A. Yu. Nikitin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, P. Tronc, “Photoluminescence kinetics of wurtzite GaN quantum dots in an AlN matrix”, JETP Letters, 81:2 (2005), 62–65 |
4
|
|
1989 |
| 22. |
С. А. Дворецкий, В. И. Бударных, А. К. Гутаковский, В. Ю. Карасев, Н. А. Киселев, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, С. И. Стенин, “Двойникование в пленках $\mathrm{CdTe(111)}$ на подложках $\mathrm{GaAs(100)}$”, Докл. АН СССР, 304:3 (1989), 604–606 |
| 23. |
А. К. Гутаковский, Ю. О. Кантер, В. Ю. Караcёв, Н. А. Киселев, С. М. Пинтус, С. В. Рубанов, С. И. Стенин, А. А. Федоров, “Структура пленок и границ раздела в многослойных системах на основе арсенидов индия и галлия”, Докл. АН СССР, 304:2 (1989), 355–357 |
|
Обратная связь: