|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
Д. С. Абрамкинab, А. К. Бакаровa, А. К. Гутаковскийab, Т. С. Шамирзаевacb a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
Аннотация:
Изучено атомное строение и энергетический спектр гетероструктур, формирующихся в системе бинарных соединений InSb/AlAs. Твердый раствор In$_{x}$Al$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{1-y}$, из которого формируются квантовые ямы в структурах InSb/AlAs, распадается на две фазы разного состава. Характерные размеры областей, содержащих отдельные фазы твердого раствора в плоскости структуры, составляют 5–7 нм. Спинодальный распад твердого раствора приводит к формированию в квантовых ямах изученных гетероструктур сосуществующих областей с энергетическим спектром первого и второго рода и непрямой в пространстве квазиимпульсов запрещенной зоной.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1280–1285; Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5680 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1280
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 8 |
|