Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1280–1285
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46583.05 (Mi phts5680) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах

Д. С. Абрамкинab, А. К. Бакаровa, А. К. Гутаковскийab, Т. С. Шамирзаевacb

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
PDF полного текста (758 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46583.05
Аннотация: Изучено атомное строение и энергетический спектр гетероструктур, формирующихся в системе бинарных соединений InSb/AlAs. Твердый раствор In$_{x}$Al$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{1-y}$, из которого формируются квантовые ямы в структурах InSb/AlAs, распадается на две фазы разного состава. Характерные размеры областей, содержащих отдельные фазы твердого раствора в плоскости структуры, составляют 5–7 нм. Спинодальный распад твердого раствора приводит к формированию в квантовых ямах изученных гетероструктур сосуществующих областей с энергетическим спектром первого и второго рода и непрямой в пространстве квазиимпульсов запрещенной зоной.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.A03.21.0006
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60015
16-02-00242
Российский научный фонд 14-22-00143
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций АААА-А17-11704210141-5
Работа выполнена при финансовой поддержке правительства Российской Федерации, постановление № 211, контракт № 02.A03.21.0006; РФФИ (проекты № 16-32-60015, 16-02-00242); микроскопические исследования проведены при поддержке РНФ (грант № 14-22-00143) на оборудовании ЦКП “Наноструктуры”, ФАНО РФ проект № АААА-А17-11704210141-5.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1392–1397
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110027
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1280–1285; Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrBakGut18}
\by Д.~С.~Абрамкин, А.~К.~Бакаров, А.~К.~Гутаковский, Т.~С.~Шамирзаев
\paper Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1280--1285
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5680}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46583.05}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903598}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1392--1397
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110027}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5680
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1280
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024