|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs
Д. С. Абрамкинab, К. М. Румынинab, А. К. Бакаровb, Д. А. Колотовкинаab, А. К. Гутаковскийab, Т. С. Шамирзаевabc a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Уральский федеральный университет, 620002 Екатеринбург, Россия
Аннотация:
Кристаллическое строение новых самоорганизованных InSb/AlAs и AlSb/AlAs квантовых точек (КТ), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследовано с помощью просвечивающей электронной микроскопии. Теоретические расчеты энергетического спектра КТ дополнены экспериментальными данными спектроскопии стационарной и время-разрешенной фотолюминесценции. Осаждение 1.5 монослоев InSb или AlSb на поверхность AlAs, выполненное в режиме атомно-слоевой эпитаксии, приводит к формированию псевдоморфно напряженных КТ, состоящих из твердых растворов InAlSbAs или AlSbAs, соответственно. В зависимости от состава твердого раствора КТ могут иметь энергетический спектр, как первого, так и второго рода. Основное дырочное состояние КТ принадлежит зоне тяжелых дырок, при этом энергия локализации дырки значительно превосходит энергию локализации электронов. В КТ первого рода основное электронное состояние принадлежит непрямой $X_{XY}$ долине зоны проводимости твердого раствора. В КТ второго рода основное электронное состояние принадлежит непрямой $X$ долине зоны проводимости AlAs матрицы.
Поступила в редакцию: 25.03.2016 Исправленный вариант: 15.04.2016
Образец цитирования:
Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016), 785–791; JETP Letters, 103:11 (2016), 692–698
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl4954 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v103/i11/p785
|
|