|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 95, выпуск 10, страницы 601–603
(Mi jetpl2561)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem
T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, M. A. Putyato A. V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of SB RAS, Novosibirsk
Аннотация:
Novel self-assembled quantum dots (QDs) in the GaSb/AlAs
heterosystem were obtained and studied by means of transmission
electron microscopy, steady-state and transient photoluminescence. A
strong intermixing of both III and V group materials results in the
fabrication of quaternary alloy QDs in the AlAs matrix. The QDs have
atypical energy structure: band alignment of type I with the lowest
electronic state at the indirect X minimum of the conduction band.
Поступила в редакцию: 09.04.2012
Образец цитирования:
T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, M. A. Putyato, “Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012), 601–603; JETP Letters, 95:10 (2012), 534–536
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2561 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v95/i10/p601
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 189 | PDF полного текста: | 42 | Список литературы: | 34 | Первая страница: | 4 |
|