Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1610–1614 (Mi phts6279)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn

В. А. Тимофеевa, А. И. Никифоровab, А. Р. Туктамышевa, М. Ю. Есинa, В. И. Машановa, А. К. Гутаковскийa, Н. А. Байдаковаc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Национальный исследовательский Томский государственный университет
c Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (1494 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Изучены температурные и композиционные зависимости критической толщины 2D–3D перехода для пленки GeSiSn на поверхности Si(100). Впервые исследованы закономерности формирования многослойных структур, содержащих псевдоморфные слои GeSiSn непосредственно на Si без релаксированных буферных слоев. Методом просвечивающей электронной микроскопии показана возможность создания многослойных структур на основе псевдоморфных пленок GeSiSn и определены параметры кристаллической решетки. Выращенные структуры продемонстрировали фотолюминесценцию для содержания Sn в слоях GeSiSn от 3.5 до 5%.
Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 12, Pages 1584–1588
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261612023X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614; Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TimNikTuk16}
\by В.~А.~Тимофеев, А.~И.~Никифоров, А.~Р.~Туктамышев, М.~Ю.~Есин, В.~И.~Машанов, А.~К.~Гутаковский, Н.~А.~Байдакова
\paper Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1610--1614
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6279}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369059}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 12
\pages 1584--1588
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261612023X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6279
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i12/p1610
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024