Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs

Низкоразмерные гетероструктуры с квантовыми ямами и наноостровками, формируемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе InSb/AlAs, исследованы с помощью просвечивающей электронной микроскопии и спектроскопии стационарной фотолюминесценции. Структуры выращивались в режимах: поочередного осаждения In и Sb, так называемой атомно-слоевой эпитаксии, и одновременного осаждения материалов (традиционный режим молекулярно-лучевой эпитаксии). В обоих режимах при номинальном количестве осажденного материала в 1 монослой формируются крупные (200 нм–1 мкм) дефектные островки, расположенные на слое In$_{x}$Al$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{1-y}$ квантовой ямы. В гетероструктурах, выращенных в режиме атомно-слоевой эпитаксии, островки окружены кольцевыми массивами значительно более мелких ($\sim$10 нм) когерентно напряженных островков, так же состоящих из In$_{x}$Al$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{1-y}$. Состав твердого раствора определяется перемешиванием материалов V группы на стадии осаждения InSb и перемешиванием материалов вследствие сегрегации атомов In и Sb при заращивании слоя InSb арсенидом алюминия.