Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2014, том 99, выпуск 2, страницы 81–86
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14020040 (Mi jetpl3639) 		 
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots

D. S. Abramkina, V. T. Shamirzaevb, M. A. Putyatoa, A. K. Gutakovskiia, T. S. Shamirzaevac

a Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk
b Novosibirsk State Technical University
c Novosibirsk State University
PDF полного текста (764 kB) Список цитирования (9)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14020040
Аннотация: Band alignment of heterostructures with pseudomorphic GaSb$_{1-x}$P$_{x}$/GaP self-assembled quantum dots (SAQDs) lying on wetting layer was studied. Coexistence of type-I and type-II band alignment was found within the same heterostructure. Wetting layer has band alignment of type-I with the lowest electronic state belonging to the X$_{XY}$ valley of GaSb$_{1-x}$P$_{x}$ conduction band, in contrast to SAQDs, which have band alignment of type-II, independently of the ternary alloy composition $x$. It is shown that type-I – type-II transition is a result of GaP matrix deformation around the SAQD.
Поступила в редакцию: 08.11.2013
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, Volume 99, Issue 2, Pages 76–81
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364014020027
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014), 81–86; JETP Letters, 99:2 (2014), 76–81
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrShaPut14}
\by D.~S.~Abramkin, V.~T.~Shamirzaev, M.~A.~Putyato, A.~K.~Gutakovskii, T.~S.~Shamirzaev
\paper Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP
heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 99
\issue 2
\pages 81--86
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3639}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14020040}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21305878}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 99
\issue 2
\pages 76--81
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014020027}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000334246800004}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21871634}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84897948365}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3639
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i2/p81
    • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:168
    PDF полного текста:48
    Список литературы:39
    Первая страница:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024