|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
К. Д. Моисеев, В. В. Романов, “Определение зонной диаграммы гетероперехода InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP в интервале составов $y<$ 0.2”, Физика твердого тела, 63:4 (2021), 475–482   ; K. D. Moiseev, V. V. Romanov, “Band diagram of the InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP heterojunction in the composition range $y<$ 0.2”, Phys. Solid State, 63:4 (2021), 595–602 |
2
|
| 2. |
А. А. Семакова, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 277–281 ; A. A. Semakova, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Suppression of wavelength temperature dependence in heterostructures with staggered type II heterojunction InAsSb/InAsSbP”, Semiconductors, 55:3 (2021), 354–358 |
2
|
|
2020 |
| 3. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP”, Физика твердого тела, 62:11 (2020), 1822–1827 ; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Forming a type-II heterojunction in the InAsSb/InAsSbP semiconductor structure”, Phys. Solid State, 62:11 (2020), 2039–2044 |
6
|
| 4. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 202–206 ; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 |
6
|
|
2019 |
| 5. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1746–1753 ; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP narrow-gap heterostructures ($y$ = 0.09–0.16) grown by metalorganic vapor phase epitaxy for the spectral range of 4–6 $\mu$m”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1699–1706 |
8
|
| 6. |
М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 291–308 ; M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Discovery of III–V semiconductors: physical properties and application”, Semiconductors, 53:3 (2019), 273–290 |
25
|
|
2018 |
| 7. |
К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, Т. Б. Чарикова, А. М. Луговых, Т. Е. Говоркова, В. И. Окулов, “Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2325–2330 ; K. D. Moiseev, Yu. A. Kudriavtsev, T. B. Charikova, A. M. Lugovykh, T. E. Govorkova, V. I. Okulov, “Effects of magnetic ordering in conductivity and magnetization of gaas-based semiconductor heterostructures upon changing the concentration of the delta-layer of manganese admixture”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2402–2407 |
| 8. |
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 585–590 ; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Rearrangement of electroluminescence spectra in type-II $n$-InAs/$n$-InAsSbP heterostructures”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 592–597 |
3
|
|
2017 |
| 9. |
К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Yu. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez, “Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1189–1195 ; K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, Yu. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez, “On the delta-type doping of GaAs-based heterostructures with manganese compounds”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1141–1147 |
5
|
| 10. |
Л. А. Cокура, Я. А. Пархоменко, К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, “Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1146–1150 ; L. A. Sokura, Ya. A. Parkhomenko, K. D. Moiseev, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, “InSb quantum dots produced by liquid-phase epitaxy on InGaAsSb/GaSb substrates”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1101–1105 |
8
|
|
2016 |
| 11. |
К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2203–2207 ; K. D. Moiseev, V. V. Romanov, Yu. A. Kudriavtsev, “Features of an InAsSbP epilayer formation on an InAs support by metalorganic vapor phase epitaxy”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2285–2289 |
5
|
| 12. |
А. М. Луговых, Т. Б. Чарикова, В. И. Окулов, К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2160–2163 ; A. M. Lugovykh, T. B. Charikova, V. I. Okulov, K. D. Moiseev, Yu. A. Kudriavtsev, “Charge transfer features and ferromagnetic order in semiconductor heterostructures $\delta$-doped with manganese”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2240–2243 |
1
|
| 13. |
Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 993–996 ; Ya. A. Parkhomenko, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Quantum dots grown in the InSb/GaSb system by liquid-phase epitaxy”, Semiconductors, 50:7 (2016), 976–979 |
5
|
| 14. |
В. В. Романов, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 927–931 ; V. V. Romanov, P. A. Dementev, K. D. Moiseev, “Effect of multicomponent InAsSbP matrix surface on formation of InSb quantum dots at MOVPE growth”, Semiconductors, 50:7 (2016), 910–914 |
3
|
|
Обратная связь: