Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP

Представлены результаты исследования электролюминесценции асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP с мольной долей InSb в тройном твердом растворе активной области $y$ = 0.15 и $y$ = 0.16 в диапазоне температур 4.2–300 K. По данным экспериментов определено формирование ступенчатого гетероперехода II типа на гетерогранице InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAs$_{0.41}$Sb$_{0.28}$P$_{0.40}$. Показан доминирующий вклад интерфейсных излучательных переходов на гетерогранице II типа в диапазоне температур 4.2–180 K, позволяющий минимизировать температурную зависимость рабочей длины волны излучения светодиода.