Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ

Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений были получены асимметричные гетероструктуры $n$-InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/$p$-InAsSbP с узкозонным активным слоем в интервале составов $y$ = 0.09–0.16. Электролюминесценция при комнатной температуре наблюдалась вплоть до длины волны $\lambda$ = 5.1 $\mu$m в максимуме спектра. Исследование спектров низкотемпературной электролюминесценции позволило установить существование двух каналов излучательной рекомбинации, обусловленных природой гетерограницы InAsSb/InAsSbP. Продемонстрировано влияние химии поверхности активного слоя на состав наращиваемого барьерного слоя и на формирование гетероперехода InAsSb/InAsSbP при увеличении концентрации сурьмы в твердом растворе InAsSb.