Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 2, страницы 202–206
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48906.9278
(Mi phts5287)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм

В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Разработана конструкция и технология получения методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений асимметричной ступенчатой гетероструктуры InAs/InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP с предельным содержанием InSb (до $y$ = 0.17) в узкозонной активной области. Изучены электролюминесцентные характеристики длинноволновых светодиодов, созданных на основе предложенной гетероструктуры, которые излучали в спектральном диапазоне 4.6 – 5.3 мкм при комнатной температуре. Выявлено уменьшение по линейному закону квантовой эффективности электролюминесценции с ростом содержания InSb в активном слое полученных светодиодов. Показано преимущество использования асимметричной гетероструктуры для создания светодиодов c рабочей длиной волны более 4.5 мкм.
Ключевые слова: электролюминесценция, МОГФЭ, гетероструктуры, антимониды, светодиоды.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-52-16029 НЦИЛ_а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при частичной поддержке международного проекта РФФИ НЦИЛ_а № 17-52-16029 и гранта Президиума РАН “Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий”.
Поступила в редакцию: 03.10.2019
Исправленный вариант: 10.10.2019
Принята в печать: 10.10.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 2, Pages 253–257
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620020189
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 202–206; Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RomIvaPiv20}
\by В.~В.~Романов, Э.~В.~Иванов, А.~А.~Пивоварова, К.~Д.~Моисеев, Ю.~П.~Яковлев
\paper Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 -- 5.3 мкм
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 202--206
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5287}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.02.48906.9278}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571099}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 2
\pages 253--257
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620020189}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5287
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i2/p202
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:55
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024