Формирование гетероперехода II типа в полупроводниковой структуре InAsSb/InAsSbP

Представлены результаты исследования электролюминесцентных и вольт-амперных характеристик гетероструктуры $n$-InAs/$n$-InAsSb/$p$-InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. В спектральном диапазоне 0.23–0.29 eV обнаружена интенсивная электролюминесценция при температуре $T$ = 77 K. Положение максимума основной полосы излучения ($h\nu\approx$ 0.24 eV) демонстрировало заметный “голубой” сдвиг при увеличении приложенного прямого смещения. На основании проведенных исследований был сделан вывод о существовании на гетерогранице InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/InAs$_{0.32}$Sb$_{0.28}$P$_{0.40}$ ступенчатого гетероперехода II типа, что подтверждается результатами расчета зонной энергетической диаграммы.