Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 9, страницы 1189–1195
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44882.8534 (Mi phts6038) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs

К. Д. Моисеевa, В. Н. Неведомскийa, Yu. Kudriavtsevb, A. Escobosa-Echavarriab, M. Lopez-Lopezc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Dep. Ingenieria Eléctrica-SEES, Cinvestav-IPN, México
c Dep. Física, Cinvestav-IPN, Mexico
PDF полного текста (542 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44882.8534
Аннотация: Гетероструктуры с квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs, легированные пространственно удаленными моноатомными слоями Mn, были получены на подложке GaAs(001) в режиме монослойного наращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Комбинированные исследования полученных образцов были проведены при помощи метода вторичной ионной масс-спектрометрии, рентгено-дифракционных измерений и с использованием просвечивающего электронного микроскопа. Исследуемые гетероструктуры с концентрацией легирующей примеси 0.5 монослоя были упруго напряжены и демонстрировали планарные четкие границы раздела без видимых протяженных и точечных дефектов. Предложена методика визуализации распределения концентрации марганца в трехмерной матрице GaAs вблизи квантовой ямы. Согласно экспериментальным результатам существует вероятность диффузии марганца в квантовую яму GaAs/InGaAs/GaAs при уменьшении критической толщины буферного слоя GaAs менее 3 нм.
Поступила в редакцию: 02.02.2017
Принята в печать: 13.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 9, Pages 1141–1147
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617090159
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Д. Моисеев, В. Н. Неведомский, Yu. Kudriavtsev, A. Escobosa-Echavarria, M. Lopez-Lopez, “Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1189–1195; Semiconductors, 51:9 (2017), 1141–1147
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MoiNevKud17}
\by К.~Д.~Моисеев, В.~Н.~Неведомский, Yu.~Kudriavtsev, A.~Escobosa-Echavarria, M.~Lopez-Lopez
\paper Дельта-легирование соединениями марганца гетероструктур на основе GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1189--1195
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6038}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.09.44882.8534}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29973055}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 9
\pages 1141--1147
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617090159}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6038
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i9/p1189
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024