Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP

Методом МОГФЭ были получены одиночные гетеросруктуры II типа $n^{+}$-InAs/$n^{0}$-InAs$_{0.59}$Sb$_{0.16}$P$_{0.25}$ на основе преднамеренно нелегированного эпитаксиального слоя с электронным типом проводимости. При этом вблизи гетерограницы в объеме четверного твердого раствора был сформирован переходной слой модулированного состава. Было показано существование канала излучательной рекомбинации, обусловленного наличием локализованных дырочных состояний в квантовых ямах, сформированных в переходном слое вблизи гетерограницы. Была продемонстрирована перестройка максимума интенсивности спектра ЭЛ исследуемой гетероструктуры при приложении прямого внешнего смещения. Результаты настоящего исследования могут быть использованы при разработке перестраиваемых светодиодов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне 2–4 $\mu$m.