|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Системы низкой размерности
Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом МОГФЭ были получены одиночные гетеросруктуры II типа $n^{+}$-InAs/$n^{0}$-InAs$_{0.59}$Sb$_{0.16}$P$_{0.25}$ на основе преднамеренно нелегированного эпитаксиального слоя с электронным типом проводимости. При этом вблизи гетерограницы в объеме четверного твердого раствора был сформирован переходной слой модулированного состава. Было показано существование канала излучательной рекомбинации, обусловленного наличием локализованных дырочных состояний в квантовых ямах, сформированных в переходном слое вблизи гетерограницы. Была продемонстрирована перестройка максимума интенсивности спектра ЭЛ исследуемой гетероструктуры при приложении прямого внешнего смещения. Результаты настоящего исследования могут быть использованы при разработке перестраиваемых светодиодов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне 2–4 $\mu$m.
Поступила в редакцию: 20.09.2017
Образец цитирования:
В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 585–590; Phys. Solid State, 60:3 (2018), 592–597
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9282 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v60/i3/p585
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 5 |
|