Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11, страницы 2160–2163 (Mi ftt9780)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'' , Н. Новгород, 14-18 марта 2016 г.
Магнетизм

Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с δ-легированием марганцем

А. М. Луговыхa, Т. Б. Чариковаab, В. И. Окуловab, К. Д. Моисеевc, Ю. А. Кудрявцевd

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Национальный политехнический институт, Синвестав, Мексика
PDF полного текста (289 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Приводятся результаты исследований температурных и полевых зависимостей удельной намагниченности и магнитосопротивления в гетероструктурах с квантовой ямой GaAs/Ga0.84In0.16As/GaAs и с δ-слоем атомарного Mn, расположенным в барьерном слое вблизи квантовой ямы, заполненной дырками. Обнаружено изменение в поведении сопротивления и намагниченности при упорядочении локализованных магнитных моментов в покровном слое вследствие изменения топологии распределения ионов марганца.
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 11, Pages 2240–2243
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416110226
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Луговых, Т. Б. Чарикова, В. И. Окулов, К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с δ-легированием марганцем”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2160–2163; Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2240–2243
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LugChaOku16}
\by А.~М.~Луговых, Т.~Б.~Чарикова, В.~И.~Окулов, К.~Д.~Моисеев, Ю.~А.~Кудрявцев
\paper Особенности переноса заряда и ферромагнитный порядок в полупроводниковых гетероструктурах с $\delta$-легированием марганцем
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2160--2163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9780}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368817}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2240--2243
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416110226}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9780
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i11/p2160
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    1. К. Д. Моисеев, Ю. А. Кудрявцев, Т. Б. Чарикова, А. М. Луговых, Т. Е. Говоркова, В. И. Окулов, “Проявление эффектов магнитного упорядочения в проводимости и намагниченности полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs при изменении концентрации дельта-слоя примесей марганца”, Физика твердого тела, 60:12 (2018), 2325–2330  mathnet  crossref; K. D. Moiseev, Yu. A. Kudriavtsev, T. B. Charikova, A. M. Lugovykh, T. E. Govorkova, V. I. Okulov, “Effects of magnetic ordering in conductivity and magnetization of gaas-based semiconductor heterostructures upon changing the concentration of the delta-layer of manganese admixture”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2402–2407  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:64
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025