Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 7, страницы 993–996 (Mi phts6426)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии

Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (637 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Мы сообщаем о первых результатах по выращиванию квантовых точек в системе InSb/GaSb методом жидкофазной эпитаксии и исследованию их структурных характеристик методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что поверхностная плотность, форма и размеры наноостровков зависят от температуры наращивания и химии поверхности матрицы. Получены массивы квантовых точек InSb на подложках GaSb (001) в интервале температур $T$ = 450–465$^\circ$C, со средними размерами: высота $h$ = 3 нм, продольный размер $D$ = 30 нм и поверхностная плотность 3 $\cdot$ 10$^{9}$ см$^{-2}$.
Поступила в редакцию: 29.12.2015
Принята в печать: 18.01.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 7, Pages 976–979
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616070198
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Я. А. Пархоменко, П. А. Дементьев, К. Д. Моисеев, “Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 993–996; Semiconductors, 50:7 (2016), 976–979
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ParDemMoi16}
\by Я.~А.~Пархоменко, П.~А.~Дементьев, К.~Д.~Моисеев
\paper Квантовые точки в системе InSb/GaSb, выращенные методом жидкофазной эпитаксии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 993--996
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6426}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368949}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 7
\pages 976--979
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616070198}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6426
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i7/p993
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024