Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 291–308
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47278.8998
(Mi phts5556)
 

Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)

Обзоры

Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)

М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Настоящий обзор работ посвящен открытию, разработке технологии и исследованию полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, проводимых в Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе (ФТИ, Физтех), где в 1950 г. были сделаны первые шаги в получении полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ и начальные исследования их фундаментальных свойств под руководством двух крупных ученых – Нины Александровны Горюновой и Дмитрия Николаевича Наследова. Дальнейшее развитие этих работ нашло отражение в трудах последователей и учеников Д.Н. Наследова, работавших и продолжающих работать в подразделениях ФТИ. Будет рассмотрен вклад этих исследований в изучение гетероструктур на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$, а также в разработку полупроводниковых приборов для электроники, оптоэлектроники и фотоники.
Поступила в редакцию: 11.10.2018
Исправленный вариант: 16.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 273–290
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030126
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 291–308; Semiconductors, 53:3 (2019), 273–290
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikMoiYak19}
\by М.~П.~Михайлова, К.~Д.~Моисеев, Ю.~П.~Яковлев
\paper Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 291--308
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5556}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47278.8998}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476994}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 273--290
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030126}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5556
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p291
  • Эта публикация цитируется в следующих 25 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:70
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024