Влияние поверхности многокомпонентной матрицы InAsSbP на формирование квантовых точек InSb при наращивании методом МОГФЭ

Квантовые точки (7–9) $\cdot$ 10$^{9}$ см$^{-2}$ InSb были получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений при температуре $T$ = 440$^\circ$С. Эпитаксиальное осаждение происходило одновременно на бинарную матрицу InAs и матричный слой четверного твердого раствора InAsSbP, изопериодного по параметру решетки с подложкой InAs. Трансформация формы и размеров квантовых точек InSb наблюдалась в зависимости от химического состава рабочей поверхности матрицы, на которую происходило наращивание. Использование многокомпонентного матричного слоя дает возможность управлять параметром постоянной решетки матрицы и деформацией системы при образовании самообразующихся квантовых точек.