Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 11, страницы 2203–2207 (Mi ftt9789)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводники

Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений

К. Д. Моисеевa, В. В. Романовa, Ю. А. Кудрявцевb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Отделение твердотельной электроники Центра исследований и передового обучения Национального политехнического института, Мехико, Мексика
PDF полного текста (364 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Эпитаксиальные слои в системе твердых растворов InAs1−x−ySbyPx в диапазоне составов 0 <x< 0.72 получены на подложке InAs(001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (МОГФЭ). Послойный анализ полученных структур с помощью метода масс-спектрометрии вторичных ионов показал градиентное изменение состава вдоль направления наращивания. Резкое изменение состава на гетерогранице слой/подложка наблюдалось для четверных твердых растворов InAsSbP благодаря присутствию радикалов соединений мышьяка в газовой фазе. При эпитаксиальном наращивании на подложку InAs в системе твердых растворов InAsSbP методом МОГФЭ уменьшение содержания мышьяка в твердой фазе менее (1−x−y)< 0.3 приводило к подавлению градиентности осаждаемого слоя, а также и подавлению колебаний состава в начальном переходном слое.
Поступила в редакцию: 18.05.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 11, Pages 2285–2289
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416110251
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Д. Моисеев, В. В. Романов, Ю. А. Кудрявцев, “Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2203–2207; Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2285–2289
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MoiRomKud16}
\by К.~Д.~Моисеев, В.~В.~Романов, Ю.~А.~Кудрявцев
\paper Особенности формирования эпитаксиальных слоев InAsSbP на подложке InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2203--2207
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9789}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368826}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 11
\pages 2285--2289
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416110251}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9789
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i11/p2203
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. Tristan Smołka, Marcin Motyka, Vyacheslav Vital'evich Romanov, Konstantin Dmitrievich Moiseev, “Photoluminescence Spectroscopy of the InAsSb-Based p-i-n Heterostructure”, Materials, 15:4 (2022), 1419  crossref
    2. Marcin Kurka, Mateusz Dyksik, Weronika Golletz, Maksymilian Środa, Vyacheslav Vital'evich Romanov, Konstantin Dmitrievich Moiseev, Marcin Motyka, “Features of carrier confinement in InAsSb(P) alloys and quantum wells for room-temperature operating mid-infrared emitters”, Appl. Phys. Express, 12:11 (2019), 115504  crossref
    3. В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Узкозонные гетероструктуры InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP ($y$ = 0.09–0.16) для спектрального диапазона 4–6 $\mu$m, полученные методом МОГФЭ”, Физика твердого тела, 61:10 (2019), 1746–1753  mathnet  crossref; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “InAs$_{1-y}$Sb$_{y}$/InAsSbP narrow-gap heterostructures ($y$ = 0.09–0.16) grown by metalorganic vapor phase epitaxy for the spectral range of 4–6 $\mu$m”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1699–1706  mathnet  crossref
    4. В. В. Романов, Э. В. Иванов, К. Д. Моисеев, “Перестройка спектров электролюминесценции в гетероструктурах II типа $n$-InAs/$n$-InAsSbP”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 585–590  mathnet  crossref; V. V. Romanov, È. V. Ivanov, K. D. Moiseev, “Rearrangement of electroluminescence spectra in type-II $n$-InAs/$n$-InAsSbP heterostructures”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 592–597  mathnet  crossref
    5. В. И. Васильев, Г. С. Гагис, Р. В. Левин, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, М. П. Щеглов, В. И. Кучинский, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, Т. Б. Попова, “Исследование градиента состава слоев GaInAsP, полученных на InP методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 17–24  mathnet  crossref; V. I. Vasil'ev, G. S. Gagis, R. V. Levin, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, M. P. Scheglov, V. I. Kuchinskii, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, T. B. Popova, “A study of the composition gradient of GaInAsP layers formed on InP by vapor-phase epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1127–1129  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:58
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025