Квантовые точки InSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии на подложке InGaAsSb/GaSb

Методом жидкофазной эпитаксии на поверхности эпитаксиального слоя In$_{0.25}$GaAsSb, изопериодного с подложкой GaSb(001), впервые сформированы квантовые точки InSb в интервале температур $T$ = 450–467$^\circ$C. Просвечивающая электронная микроскопия показала, что форма квантовой точки близка к усеченному конусу, а распределение их в ансамбле по высоте и размеру основания является монодисперсным. Крупные квантовые точки (размер основания $\sim$30–50 нм, высота 3 нм) имели специфический контраст на изображении в планарной геометрии с дифракционным контрастом, что указывало на присутствие дефектов несоответствия. Модификация химического состава рабочей поверхности подложки за счет нанесения эпитаксиального слоя In$_{0.25}$GaAsSb позволила в 3 раза увеличить плотность ансамбля (1 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$) квантовых точек InSb по сравнению с осаждением непосредственно на бинарное соединение GaSb.