|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Ю. М. Кузнецов, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, Д. А. Здоровейщев, “Гальваномагнитные и термомагнитные явления в тонких металлических плёнках CoPt”, УФН, 193:3 (2023), 331–339  ; Yu. M. Kuznetsov, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, D. A. Zdoroveyshchev, “Galvanomagnetic and thermomagnetic phenomena in thin metal CoPt films”, Phys. Usp., 66:3 (2023), 312–319   |
1
|
|
2021 |
| 2. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, М. Н. Дроздов, Д. А. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, Ю. М. Кузнецов, А. В. Кудрин, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, Д. В. Хомицкий, “Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As”, Физика твердого тела, 63:9 (2021), 1245–1252  ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, M. N. Drozdov, D. A. Zdoroveishchev, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Kudrin, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, “Pulsed laser irradiation of light-emitting structures with a (Ga,Mn)As layer”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1593–1600 |
| 3. |
В. П. Лесников, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, Р. Н. Крюков, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитными узкозонными полупроводниками A$^{3}$FeB$^{5}$ разного типа проводимости”, Физика твердого тела, 63:7 (2021), 866–873 ; V. P. Lesnikov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, R. N. Kriukov, “Diode heterostructures with narrow-gap ferromagnetic A$^{3}$FeB$^{5}$ semiconductors of various conduction type”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1028–1035 |
2
|
| 4. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, Ю. А. Дудин, А. В. Кудрин, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, С. А. Никитов, А. В. Садовников, “Влияние ионного облучения на магнитные свойства пленок CoPt”, Физика твердого тела, 63:3 (2021), 324–332 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, Yu. A. Dudin, A. V. Kudrin, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, S. A. Nikitov, A. V. Sadovnikov, “Effect of ion irradiation on the magnetic properties of CoPt films”, Phys. Solid State, 63:3 (2021), 386–394 |
8
|
| 5. |
М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, “Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1409–1414 ; M. V. Dorokhin, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, “Methods for switching radiation polarization in GaAs laser diodes”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1194–1199 |
| 6. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 38–41 |
|
2020 |
| 7. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, Е. А. Ларионова, В. А. Ковальский, О. А. Солтанович, “Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga, Mn)As”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 373–380 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, E. A. Larionova, V. A. Koval'skii, O. A. Soltanovich, “Diode heterostructures with a ferromagnetic (Ga, Mn)As layer”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 423–430 |
2
|
| 8. |
Ю. А. Данилов, М. В. Ведь, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, М. Н. Дроздов, Б. Н. Звонков, В. А. Ковальский, Р. Н. Крюков, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, П. А. Юнин, А. М. Андреев, “Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 868–872 ; Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 |
2
|
| 9. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 17–20 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694 |
| 10. |
М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, А. В. Кудрин, М. В. Ведь, А. В. Здоровейщев, “Дальнодействующее магнитное взаимодействие в гетероструктурах InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 40–43 ; M. V. Dorokhin, P. B. Demina, E. I. Malysheva, A. V. Kudrin, M. V. Ved, A. V. Zdoroveyshchev, “Long-range magnetic interaction in InGaAs/GaAs/$\delta$-$\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 87–90 |
1
|
|
2019 |
| 11. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Ю. А. Дудин, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, С. А. Никитов, А. В. Садовников, “Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1694–1699 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, Yu. A. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, S. A. Nikitov, A. V. Sadovnikov, “Modifying the magnetic properties of the CoPt alloy by ion irradiation”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1646–1651 |
9
|
| 12. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, И. Л. Калентьева, Е. А. Ларионова, В. А. Ковальский, О. А. Солтанович, “Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 351–358 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, I. L. Kalentyeva, E. A. Larionova, V. A. Koval'skii, O. A. Soltanovich, “Studying magnetic diodes with a GaMnAs layer formed by pulsed laser deposition”, Semiconductors, 53:3 (2019), 332–338 |
3
|
| 13. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 |
1
|
|
2018 |
| 14. |
А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, П. Б. Дёмина, “Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2236–2239 ; A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, P. B. Demina, “Detectors of circularly polarized radiation based on semiconductor heterostructures with a CoPt Schottky barrier”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2276–2279 |
2
|
| 15. |
А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, “Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2158–2165 ; A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Kudrin, “Formation of a domain structure in multilayer CoPt films by magnetic probe of an atomic force microscope”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2200–2206 |
21
|
| 16. |
Е. И. Малышева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, А. Е. Парафин, М. В. Ведь, А. В. Кудрин, А. В. Здоровейщев, “Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2141–2146 |
1
|
| 17. |
Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Р. Н. Крюков, И. Н. Антонов, Д. С. Толкачев, А. В. Алафердов, З. Э. Кунькова, М. П. Темирязева, А. Г. Темирязев, “Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А$^{3}$В$^{5}$, сильно легированных железом”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2137–2140 ; Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, R. N. Kriukov, I. N. Antonov, D. S. Tolkachev, A. V. Alaferdov, Z. E. Kun'kova, M. P. Temiryazeva, A. G. Temiryazev, “The study of features of formation and properties of А$^{3}$В$^{5}$ semiconductors highly doped with iron”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2178–2181 |
5
|
| 18. |
З. Э. Кунькова, Е. А. Ганьшина, Л. Л. Голик, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, В. И. Ковалев, Г. С. Зыков, Ю. В. Маркин, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, “Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 940–946 ; Z. E. Kun'kova, E. A. Gan'shina, L. L. Golik, Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, V. I. Kovalev, G. S. Zykov, Yu. V. Markin, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, “Phase separation in GaMnAs layers grown by laser pulsed deposition”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 943–949 |
5
|
| 19. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, И. Н. Антонов, “Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1286–1290 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, I. N. Antonov, “The effect of the composition of a carrier gas during the growth of a Mn delta-layer on the electrical and magnetic properties of GaAs structures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1398–1402 |
1
|
| 20. |
Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880 ; G. E. Yakovlev, M. V. Dorokhin, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, “Specific features of the electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011 |
9
|
|
2017 |
| 21. |
А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, П. Б. Дёмина, О. В. Вихрова, И. Л. Калентьева, М. В. Ведь, “Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2203–2205 ; A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, I. L. Kalentyeva, M. V. Ved, “Photoconductive detector of circularly polarized radiation based on a MIS structure with a CoPt layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2223–2225 |
6
|
| 22. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222 |
3
|
| 23. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, “Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2196–2199 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, “Emitting heterostructures with a bilayer InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum well and a GaMnAs ferromagnetic layer”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2216–2219 |
2
|
| 24. |
М. В. Дорохин, М. В. Ведь, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, А. В. Рыков, Ю. М. Кузнецов, “Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2135–2141 ; M. V. Dorokhin, M. V. Ved, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, A. V. Rykov, Yu. M. Kuznetsov, “Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2155–2161 |
5
|
| 25. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, I. Yu. Pashen'kin, S. M. Plankina, “Modification of the properties of ferromagnetic layers based on A$^{3}$B$^{5}$ compounds by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154 |
6
|
| 26. |
М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, А. В. Рыков, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, В. И. Зубков, Д. С. Фролов, Г. Е. Яковлев, А. В. Кудрин, “Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1539–1544 ; M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 |
4
|
| 27. |
О. С. Комков, А. В. Кудрин, “Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1473–1479 ; O. S. Komkov, A. V. Kudrin, “Contactless characterization of manganese and carbon delta-layers in gallium arsenide”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1420–1426 |
3
|
| 28. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, М. Н. Дроздов, Ю. В. Усов, “Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1468–1472 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 |
1
|
|
2016 |
| 29. |
А. В. Здоровейщев, М. В. Дорохин, О. В. Вихрова, П. Б. Демина, А. В. Кудрин, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, “Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2186–2189 ; A. V. Zdoroveyshchev, M. V. Dorokhin, O. V. Vikhrova, P. B. Demina, A. V. Kudrin, A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, “Properties of CoPt ferromagnetic layers for application in spin light-emitting diodes”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2267–2270 |
14
|
| 30. |
Ю. А. Данилов, H. Boudinov, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Е. А. Питиримова, Р. Р. Якубов, “Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga, Mn)As импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 58:11 (2016), 2140–2144 ; Yu. A. Danilov, H. Boudinov, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, E. A. Pitirimova, R. R. Yakubov, “Formation of the single-phase ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2218–2222 |
4
|
| 31. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. Н. Дроздов, “Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным $\delta$-легированным Mn слоем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1490–1496 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. N. Drozdov, “Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer $\delta$-doped with Mn”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1469–1474 |
3
|
| 32. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, “Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1473–1478 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, “On the crystal structure and thermoelectric properties of thin MnSi$_{x}$ films”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1453–1457 |
1
|
| 33. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
| 34. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, А. В. Кудрин, “Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 204–207 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, A. V. Kudrin, “GaAs structures with a gate dielectric based on aluminum-oxide layers”, Semiconductors, 50:2 (2016), 204–207 |
1
|
| 35. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Е. А. Питиримова, “Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 63–71 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, E. A. Pitirimova, “Nonlinear room-temperature Hall effect in $n$-InFeAs layers”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 88–92 |
5
|
|
Обратная связь: