Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1473–1479
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45093.07 (Mi phts5990) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия

О. С. Комковa, А. В. Кудринb

a Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (251 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45093.07
Аннотация: Метод спектроскопии фотоотражения применен для диагностики одиночных дельта-слоев марганца и углерода в нелегированном GaAs. Показано, что определяемая этим методом напряженность встроенных электрических полей растет с увеличением слоевой концентрации введенных примесей и хорошо коррелирует с технологическими данными и результатами, полученными методом Холла. Фазочувствительное фотоотражение позволило независимо измерить приповерхностное поле и поле, обусловленное дельта-легированием. Это дает возможность бесконтактно определять долю электрически активной примеси Mn и выявлять вклад $\delta$-слоев углерода в гетеросистемы на основе GaAs.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1420–1426
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110161
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. С. Комков, А. В. Кудрин, “Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1473–1479; Semiconductors, 51:11 (2017), 1420–1426
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KomKud17}
\by О.~С.~Комков, А.~В.~Кудрин
\paper Бесконтактная характеризация дельта-слоев марганца и углерода в арсениде галлия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1473--1479
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5990}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45093.07}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546383}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1420--1426
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110161}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5990
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1473
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024