Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Drozdov, Mikhail Nikolaevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 39
Scientific articles: 39

Number of views:
This page:171
Abstract pages:2686
Full texts:1057
References:149
Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person54801
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2022
1. Mikhail A. Lobaev, Anatoly L. Vikharev, Aleksey M. Gorbachev, Dmitry B. Radishev, Ekaterina A. Arkhipova, Mikhail N. Drozdov, Vladimir A. Isaev, Sergey A. Bogdanov, Vladimir A. Kukushkin, “Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates”, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 13:5 (2022),  578–584  mathnet  elib
2021
2. B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, M. N. Drozdov, D. A. Zdoroveishchev, I. L. Kalentyeva, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Kudrin, A. V. Nezhdanov, A. E. Parafin, D. V. Khomitsky, “Pulsed laser irradiation of light-emitting structures with a (Ga,Mn)As layer”, Fizika Tverdogo Tela, 63:9 (2021),  1245–1252  mathnet  elib; Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1593–1600
3. A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, V. M. Daniltsev, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, “Effect of the chloropentafluoroethane additive in chlorine-containing plasma on the etching rate and etching-profile characteristics of gallium arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  837–840  mathnet  elib; Semiconductors, 55:11 (2021), 865–868
4. Yu. A. Danilov, A. V. Alaferdov, O. V. Vikhrova, D. A. Zdoroveishchev, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, Yu. M. Kuznetsov, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, M. N. Drozdov, “Doping of carbon layers grown by the pulsed laser technique”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  637–643  mathnet  elib; Semiconductors, 55:8 (2021), 660–666
2020
5. A. B. Tolstoguzov, M. N. Drozdov, A. E. Ieshkin, A. A. Tatarintsev, A. V. Myakon'kikh, S. F. Belykh, N. G. Korobeishchikov, V. O. Pelenovich, D. J. Fu, “Influence of the finite-size effect on the cluster ion emission of silicon nanostructures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 111:8 (2020),  531–535  mathnet  elib; JETP Letters, 111:8 (2020), 467–471  isi  scopus 4
6. N. D. Abrosimova, M. N. Drozdov, S. V. Obolensky, “Secondary-ion mass spectroscopy for analysis of the implanted hydrogen profile in silicon and impurity composition of silicon-on-insulator structures”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:11 (2020),  1850–1853  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:11 (2020), 1767–1770
7. Yu. A. Danilov, M. V. Ved, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, M. N. Drozdov, B. N. Zvonkov, V. A. Koval'skii, R. N. Kriukov, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, P. A. Yunin, A. M. Andreev, “Carbon films produced by the pulsed laser method and their influence on the properties of GaAs structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  868–872  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1059–1063 2
8. A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, S. A. Korolev, M. N. Drozdov, V. I. Shashkin, “Formation of ohmic contacts to a diamond-like carbon layer deposited on a dielectric diamond substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  865–867  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1056–1058 2
9. P. A. Yunin, A. I. Okhapkin, M. N. Drozdov, S. A. Korolev, E. A. Arkhipova, S. A. Kraev, Yu. N. Drozdov, V. I. Shashkin, D. B. Radishev, “Modification of the ratio between $sp^2/sp^3$-hybridized carbon components in PECVD diamond-like films”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  855–858  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1047–1050
10. B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  801–806  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 1
11. A. M. Gorbachev, M. A. Lobaev, D. B. Radishev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, S. V. Bolshedvorskii, A. I. Zeleneev, V. V. Soshenko, A. V. Akimov, M. N. Drozdov, V. A. Isaev, “Formation of multilayered nanostructures of NV sites in single-crystal CVD diamond”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:13 (2020),  19–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 641–645 1
12. M. N. Drozdov, E. A. Arkhipova, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, A. E. Parafin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “The use of pulsed laser annealing to form ohmic Mo/Ti contacts to diamond”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:11 (2020),  34–38  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 551–555 2
13. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, O. A. Streletskii, A. E. Ieshkin, “SIMS analysis of carbon-containing materials: content of carbon atoms in $sp^{2}$ and $sp^{3}$ hybridization states”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:6 (2020),  38–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 290–294 6
2019
14. M. N. Drozdov, E. V. Demidov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, E. A. Arkhipova, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Formation of low-resistivity Au/Mo/Ti ohmic contacts to $p$-diamond epitaxial layers”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:12 (2019),  1923–1932  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1827–1836 5
15. E. A. Arkhipova, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. L. Vikharev, A. M. Gorbachev, D. B. Radishev, V. A. Isaev, S. A. Bogdanov, “Ohmic contacts to CVD diamond with boron-doped $\delta$ layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1386–1390  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1348–1352 1
16. A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
17. A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. Korolev, S. A. Kraev, E. A. Arkhipova, E. V. Skorokhodov, P. A. Bushuikin, V. I. Shashkin, “Plasma-chemical deposition of diamond-like films onto the surface of heavily doped single-crystal diamond”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1229–1232  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1203–1206 3
18. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, M. N. Drozdov, E. E. Morozova, M. A. Kalinnikov, A. V. Novikov, “Influence of annealing on the properties of Ge:Sb/Si(001) layers with an antimony concentration above its equilibrium solubility in germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  897–902  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 882–886 3
19. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. I. Okhapkin, S. A. Kraev, M. A. Lobaev, “A new approach to tof-sims analysis of the phase composition of carbon-containing materials”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:2 (2019),  50–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 48–52 6
20. A. E. Ieshkin, A. B. Tolstoguzov, S. E. Svyakhovskii, M. N. Drozdov, V. O. Pelenovich, “Experimental observation of the confinement of atomic collision cascades during ion sputtering of porous silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:2 (2019),  39–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 37–40 3
2018
21. M. V. Sapozhnikov, O. V. Ermolaeva, E. V. Skorokhodov, N. S. Gusev, M. N. Drozdov, “Magnetic skyrmions in thickness-modulated films”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 107:6 (2018),  378–382  mathnet  elib; JETP Letters, 107:6 (2018), 364–368  isi  scopus 17
22. A. I. Okhapkin, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. V. Skorokhodov, V. I. Shashkin, “Plasma chemical etching of gallium arsenide in C$_{2}$F$_{5}$Cl-based inductively coupled plasma”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1362–1365  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476 1
23. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “A new limitation of the depth resolution in tof-sims elemental profiling: the influence of a probing ion beam”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:8 (2018),  11–19  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 320–323 1
24. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, M. A. Lobaev, P. A. Yunin, “New cluster secondary ions for quantitative analysis of the concentration of boron atoms in diamond by time-of-flight secondary-ion mass spectrometry”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:7 (2018),  52–60  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:4 (2018), 297–300 1
2017
25. D. V. Yurasov, M. N. Drozdov, V. B. Shmagin, A. V. Novikov, “Antimony segregation in Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si wafers with different crystallographic orientations”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1611–1615  mathnet  elib; Semiconductors, 51:12 (2017), 1552–1556
26. A. I. Okhapkin, S. Korolev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, S. A. Kraev, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, “Low-temperature deposition of SiN$_ x$ films in SiH$_{4}$/Ar + N$_{2}$ inductively coupled plasma under high silane dilution with argon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1503–1506  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1449–1452 2
27. I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1468–1472  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 1
28. E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Viharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, J. E. Batler, “Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron””, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1151  mathnet; Semiconductors, 51:8 (2017), 1106
29. M. N. Drozdov, V. M. Daniltsev, Yu. N. Drozdov, O. I. Khrykin, P. A. Yunin, “Selective analysis of the elemental composition of InGaAs/GaAs nanoclusters by secondary ion mass spectrometry”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:10 (2017),  50–59  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 477–480 1
2016
30. E. A. Surovegina, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, A. V. Murel, O. I. Khrykin, V. I. Shashkin, M. A. Lobaev, A. M. Gorbachev, A. L. Vikharev, S. A. Bogdanov, V. A. Isaev, A. B. Muchnikov, V. V. Chernov, D. B. Radishev, D. E. Batler, “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1595–1598  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1569–1573 2
31. D. N. Lobanov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, M. N. Drozdov, O. I. Khrykin, O. A. Buzanov, V. V. Alenkov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, “Epitaxial GaN layers formed on langasite substrates by the plasma-assisted MBE method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1532–1536  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1511–1514 2
32. I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. N. Drozdov, “Effect of thermal annealing on the photoluminescence of structures with InGaAs/GaAs quantum wells and a low-temperature GaAs layer $\delta$-doped with Mn”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1490–1496  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1469–1474 3
33. V. M. Daniltsev, E. V. Demidov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev, E. A. Surovegina, V. I. Shashkin, P. A. Yunin, “Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1459–1462  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1439–1442 3
34. V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  596–599  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589
35. A. P. Detochenko, S. A. Denisov, M. N. Drozdov, A. I. Mashin, V. A. Gavva, A. D. Bulanov, A. V. Nezhdanov, A. A. Ezhevskii, M. V. Stepikhova, V. Yu. Chalkov, V. N. Trushin, D. V. Shengurov, V. G. Shengurov, N. V. Abrosimov, H. Riemann, “Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ alloy layers: production and some properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:3 (2016),  350–353  mathnet  elib; Semiconductors, 50:3 (2016), 345–348 4
36. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, P. A. Yunin, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko, V. L. Kryukov, E. V. Kryukov, “Extremely deep profiling analysis of the atomic composition of thick ($>$ 100 $\mu$m) GaAs layers within power PIN diodes by secondary ion mass spectrometry”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:15 (2016),  27–35  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 783–787
37. M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “Nonlinear calibration curves in secondary ion mass spectrometry for quantitative analysis of gesi heterostructures with nanoclusters”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:5 (2016),  40–48  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 243–247 2
2009
38. P. G. Sennikov, S. V. Golubev, V. I. Shashkin, D. A. Pryakhin, M. N. Drozdov, B. A. Andreev, Yu. N. Drozdov, A. S. Kuznetsov, H. Pol, “Production of nanocrystalline silicon layers using the plasma enhanced chemical vapor deposition from the gas phase of silicon tetrafluoride”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 89:2 (2009),  80–83  mathnet; JETP Letters, 89:2 (2009), 73–75  isi  scopus 4
2003
39. A. A. Andronov, M. N. Drozdov, D. I. Zinchenko, A. A. Marmalyuk, I. M. Nefedov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Padalitsa, A. V. Sosnin, A. V. Ustinov, V. I. Shashkin, “Transport in weak barrier superlattices and the problem of the terahertz Bloch oscillator”, UFN, 173:7 (2003),  780–783  mathnet; Phys. Usp., 46:7 (2003), 755–758  isi 17

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024