Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Ustinov, Viktor Mikhailovich
(1958–2024)
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 74
Scientific articles: 73

Number of views:
This page:751
Abstract pages:7392
Full texts:2425
References:436
Corresponding member of RAS
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences
Birth date: 1.07.1958
Website: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_ustinovvm_ru.htm

https://www.mathnet.ru/eng/person62812
https://ru.wikipedia.org/wiki/Ustinov,_Viktor_Mikhailovich
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=27807

Publications in Math-Net.Ru Citations
2022
1. M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. V. Rakhlin, A. I. Galimov, Yu. M. Serov, S. I. Troshkov, V. M. Ustinov, A. A. Toropov, “Simulation and analysis of the optical characteristics of cylindrical micropillars with InAs/GaAs quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 116:9 (2022),  592–598  mathnet; JETP Letters, 116:9 (2022), 613–618 3
2. S. A. Blokhin, A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. V. Andryushkin, V. E. Bugrov, A. G. Gladyshev, N. V. Kryzhanovskaya, K. O. Voropaev, I. O. Zhumaeva, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, “High-speed vertically emitting lasers in the spectral range of 1550 nm, implemented in the framework of wafer sintering method”, Kvantovaya Elektronika, 52:10 (2022),  878–884  mathnet [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S140–S147]
2021
3. S. A. Blokhin, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, V. V. Andryushkin, S. S. Rochas, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, I. O. Zhumaeva, V. M. Ustinov, A. Yu. Egorov, V. E. Bugrov, “Investigation of the characteristics of the InGaAs/InAlGaAs superlattice for 1300 nm range vertical-cavity surface emitting lasers”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:12 (2021),  2008–2017  mathnet  elib
4. M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, A. S. Pazgalev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, V. M. Ustinov, “Investigation of the noise characteristics of vertical-cavity surface-emitting laser with a rhomboidal oxide current aperture for use in a Cs-based compact atomic magnetometer”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:24 (2021),  3–8  mathnet  elib 1
5. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “Analysis of internal optical loss of 1.3 $\mu$m vertical-cavity surface-emitting laser based on $n^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InGaAs/$p^{+}$-InAlGaAs tunnel junction”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:23 (2021),  3–7  mathnet  elib
6. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. G. Gladyshev, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “Impact of transverse optical confinment on performance of 1.55 $\mu$m vertical-cavity surface-emitting lasers with a buried tunnel junction”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:22 (2021),  3–8  mathnet  elib 1
7. N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, M. M. Kulagina, A. P. Vasil'ev, S. A. Blokhin, S. I. Troshkov, A. V. Nashchekin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, K. O. Voropaev, V. E. Bugrov, V. M. Ustinov, “Mushroom mesa structure for InAlAs/InGaAs avalanche photodiodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:21 (2021),  36–38  mathnet  elib
8. N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:15 (2021),  15–18  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 6
9. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, E. S. Kolodeznyi, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, V. M. Ustinov, “The design of an electrically-driven single photon source of the 1.3-$\mu$m spectral range based on a vertical microcavity with intracavity contacts”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:5 (2021),  23–27  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 222–226 1
2020
10. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, “Investigation of anomalous lasing in vertical-cavity surface-emitting lasers of the 850-nm spectral range with a double oxide current aperture at large gain-to-cavity detuning”, Optics and Spectroscopy, 128:8 (2020),  1151–1159  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 128:8 (2020), 1174–1181 1
11. S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. V. Babichev, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “1.55 $\mu$m-range vertical cavity surface emitting lasers, manufactured by wafer fusion of heterostuctures grown by solid-source molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1088–1096  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1276–1283 7
12. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “The effect of a saturable absorber in long-wavelength vertical-cavity surface-emitting lasers fabricated by wafer fusion technology”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:24 (2020),  49–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1257–1262 11
13. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, S. S. Rochas, A. G. Gladyshev, A. V. Babichev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, “A vertical-cavity surface-emitting laser for the 1.55-$\mu$m spectral range with tunnel junction based on $n^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InGaAs/$p^{++}$-InAlGaAs layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:17 (2020),  21–25  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 854–858 11
2019
14. V. V. Dyudelev, V. V. Mamutin, D. V. Chistyakov, E. A. Kognovitskaya, V. I. Kuchinskii, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, V. M. Ustinov, G. S. Sokolovskii, “The effect of active region heating on dynamic and power characteristics of quantum cascade lasers emitting at a wavelength of 4.8 $\mu$m at room temperature”, Optics and Spectroscopy, 127:3 (2019),  445–448  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 127:3 (2019), 479–482
15. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, “Analysis of the internal optical losses of the vertical-cavity surface-emitting laser of the spectral range of 1.55 $\mu$m formed by a plate sintering technique”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019),  145–149  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 140–144 9
16. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, E. S. Kolodeznyi, S. S. Rochas, A. V. Babichev, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, A. Yu. Egorov, “Influence of output optical losses on the dynamic characteristics of 1.55-$\mu$m wafer-fused vertical-cavity surface-emitting lasers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1128–1134  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1104–1109 6
17. N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:21 (2019),  29–33  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 3
18. N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, Yu. A. Guseva, S. A. Blokhin, V. M. Ustinov, “Heterobarrier varactors with nonuniformly doped modulation layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:20 (2019),  51–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1063–1066
19. S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, M. M. Kulagina, A. A. Blokhin, Yu. A. Guseva, A. M. Ospennikov, M. V. Petrenko, A. G. Gladyshev, A. Yu. Egorov, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, D. V. Denisov, V. M. Ustinov, “Vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal current aperture for compact atomic clocks”, Kvantovaya Elektronika, 49:2 (2019),  187–190  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:2 (2019), 187–190  isi  scopus] 8
2018
20. M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, A. S. Payusov, A. P. Vasil'ev, V. M. Ustinov, A. A. Serin, N. Yu. Gordeev, A. E. Zhukov, “Effect of epitaxial-structure design and growth parameters on the characteristics of metamorphic lasers of the 1.46-$\mu$m optical range based on quantum dots grown on GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1191–1196  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1311–1316 2
21. V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “On the fabrication and study of lattice-matched heterostructures for quantum cascade lasers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  812–815  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 950–953 6
22. V. V. Mamutin, N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, N. D. Il'inskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Usikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Shernyakov, V. M. Ustinov, “Investigation of the modified structure of a quantum cascade laser”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  133–137  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 126–130 1
23. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  98–104  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
24. N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, M. M. Kulagina, S. N. Maleev, S. A. Blokhin, V. N. Nevedomskiy, V. M. Ustinov, “Epitaxial InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors with low leakage current”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:19 (2018),  16–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 862–864 3
25. V. V. Mamutin, A. P. Vasil'ev, A. V. Lyutetskiy, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, V. M. Ustinov, “Quantum-cascade lasers generating at the 4.8-$\mu$m wavelength at room temperature”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:18 (2018),  17–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 814–816 2
26. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “The influence of cavity design on the linewidth of near-ir single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:1 (2018),  67–75  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 28–31 3
27. S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, “High-speed semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers for optical data-transmission systems (review)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:1 (2018),  7–43  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 1–16 15
2017
28. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1697  mathnet; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
29. D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Optimization of the superlattice parameters for THz diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1493–1497  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1439–1443 3
30. N. A. Maleev, V. A. Belyakov, A. P. Vasil'ev, M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, A. G. Kuz'menkov, V. N. Nevedomskiy, Yu. A. Guseva, S. N. Maleev, I. V. Ladenkov, E. L. Fefelova, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1484–1488  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1431–1434 4
31. V. V. Dyudelev, N. A. Maleev, A. G. Kuz'menkov, S. A. Blokhin, V. Yu. Mylnikov, V. I. Kuchinskii, V. M. Ustinov, È. U. Rafailov, G. S. Sokolovskii, “Peaking of optical pulses in vertical-cavity surface-emitting lasers with an active region based on submonolayer InGaAs quantum dots”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:24 (2017),  17–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:12 (2017), 1099–1101 1
32. D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. N. Timoshnev, V. M. Ustinov, “Precision calibration of the silicon doping level in gallium arsenide epitaxial layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:19 (2017),  87–94  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 909–911 1
2016
33. I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 103:2 (2016),  128–131  mathnet  elib; JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124  isi  scopus 19
34. D. G. Pavel'ev, A. P. Vasil'ev, V. A. Kozlov, Yu. I. Koschurinov, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. M. Ustinov, “Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1548–1553  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1526–1531 3
35. M. A. Bobrov, N. A. Maleev, S. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. Lisak, V. M. Ustinov, “Polarization characteristics of 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers with intracavity contacts and a rhomboidal oxide current aperture”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1408–1413  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1390–1395 5
36. A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1401–1407  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 3
37. A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1263–1269  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 1
38. N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, Yu. M. Zadiranov, A. A. Lipovskii, È. I. Moiseev, Yu. V. Kudashova, D. A. Livshits, V. M. Ustinov, A. E. Zhukov, “Microdisk injection lasers for the 1.27-$\mu$m spectral range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:3 (2016),  393–397  mathnet  elib; Semiconductors, 50:3 (2016), 390–393 13
39. V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  245–249  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 23
40. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, N. D. Prasolov, P. N. Brunkov, V. S. Levitskii, V. Lisak, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “A study of distributed dielectric Bragg reflectors for vertically emitting lasers of the near-IR range”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:20 (2016),  57–65  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1049–1053 5
41. S. A. Blokhin, N. V. Kryzhanovskaya, È. I. Moiseev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, I. O. Karpovskii, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, V. N. Nevedomskiy, E. V. Nikitina, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Laser generation at 1.3 $\mu$m in vertical microcavities containing InAs/InGaAs quantum dot arrays under optical pumping”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:19 (2016),  70–79  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1009–1012 3
2010
42. A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. P. Vasil'ev, A. E. Zhukov, V. M. Ustinov, “Stimulated emission from optically pumped quantum dots”, Kvantovaya Elektronika, 40:7 (2010),  579–582  mathnet  elib [Quantum Electron., 40:7 (2010), 579–582  isi  scopus]
2006
43. E. V. Andreeva, A. E. Zhukov, V. V. Prokhorov, V. M. Ustinov, S. D. Yakubovich, “Superluminescent InAs/AlGaAs/GaAs quantum dot heterostructure diodes emitting in the 1100—1230-nm spectral range”, Kvantovaya Elektronika, 36:6 (2006),  527–531  mathnet  elib [Quantum Electron., 36:6 (2006), 527–531  isi  scopus] 8
2005
44. V. K. Kalevich, E. L. Ivchenko, M. M. Afanas'ev, A. Yu. Shiryaev, A. Yu. Egorov, V. M. Ustinov, B. Pal, Ya. Masumoto, “Spin-dependent recombination in GaAsN solid solutions”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 82:7 (2005),  509–512  mathnet; JETP Letters, 82:7 (2005), 455–458  isi  scopus 46
2002
45. N. V. Agrinskaya, V. I. Kozub, V. M. Ustinov, A. V. Chernyaev, D. V. Shamshur, “Manifestation of coulomb gap in two-dimensional $p$-GaAs-AlGaAs structures with filled upper Hubbard band”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 76:6 (2002),  420–424  mathnet; JETP Letters, 76:6 (2002), 360–364  scopus 5
46. G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 75:4 (2002),  211–216  mathnet; JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183  scopus 8
2001
47. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, UFN, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 1
1999
48. L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, UFN, 169:4 (1999),  459–464  mathnet; Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396  isi 10
1996
49. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, UFN, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi 18
1995
50. Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, UFN, 165:2 (1995),  224–225  mathnet; Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216  isi 5
1992
51. Zh. I. Alferov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
52. A. M. Mintairov, K. E. Smekalin, V. M. Ustinov, V. P. Khvostikov, “Фонон-плазмонные моды в спектрах комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:4 (1992),  614–628  mathnet
1991
53. A. T. Gorelenok, D. N. Rehviashvili, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  908–912  mathnet
1990
54. A. M. Mintairov, K. E. Smekalin, V. M. Ustinov, V. P. Khvostikov, “Комбинационное рассеяние света на смешанных $LO$-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах $n$-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>0.4$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1539–1549  mathnet
55. P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
56. Zh. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel'tser, M. I. Nemenov, V. M. Ustinov, S. V. Shaposhnikov, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
57. A. V. Bobyl, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, A. M. Mintairov, V. M. Ustinov, “EFFECT OF PHOTOINDUCED ELECTRON-HOLE PLASMA DECOMPOSITION IN SINGULAR SELECTIVE-ALLOYED HETEROSTRUCTURES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:20 (1990),  90–95  mathnet
58. A. M. Vasilev, P. S. Kop'ev, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, G. A. Naumovets, V. B. Popov, A. S. Tkachenko, V. M. Ustinov, “HYDROGEN EFFECT ON OPTICAL AND TRANSPORT-PROPERTIES OF EPITAXIAL LAYERS OF ALGAAS-SI”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:20 (1990),  1–5  mathnet
59. A. T. Gorelenok, D. N. Rehviashvili, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN IN0.88GA0.12AS0.23P0.77/IN0.53GA0.47AS HETEROSTRUCTURES GROWN BY LIQUID-PHASE EPITAXY”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:8 (1990),  47–50  mathnet
1989
60. A. M. Vasil'ev, P. S. Kop'ev, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции $\delta$-легированного GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2133–2137  mathnet
61. P. S. Kop'ev, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “Механизмы нестационарной фотопроводимости в селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1382–1385  mathnet
62. P. S. Kop'ev, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “О «нулевых осцилляциях» в структурах с двумерным электронным газом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1110–1113  mathnet
63. V. P. Evtikhiev, P. S. Kop'ev, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  845–848  mathnet
64. V. M. Andreev, N. S. Zimogorova, L. B. Karlina, L. P. Nikitin, V. M. Ustinov, A. M. Vasil'ev, “Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989),  612–615  mathnet
65. P. S. Kop'ev, A. A. Budza, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “INCREASING OF MOBILITY OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRONS ON ALAS/GAAS HETEROBOUNDARY AS COMPARED TO ALGAAS/GAAS IN HETEROSTRUCTURES WITH SELECTIVE DELTA-ALLOYING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:8 (1989),  68–71  mathnet
1988
66. Z. I. Alferov, A. M. Vasilev, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “REDUCTION OF THRESHOLD CURRENT-DENSITY IN GAAS-ALGAAS DHS QUANTUM-DIMENSIONAL LASERS(JN=52ACM-2,T=300-K) UNDER THE LIMITATION OF A QUANTUM HOLE BY THE SHORT-PERIOD SUPERLATTICE WITH VARIABLE-PITCH”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet 5
1986
67. A. M. Vasil'ev, P. S. Kop'ev, V. P. Kochereshko, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, I. N. Ural'tsev, V. M. Ustinov, D. R. Yakovlev, “Intrinsic Luminescence of GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As Sharp HelerojimcLiou”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  353–356  mathnet
68. Zh. I. Alferov, R. O. Djaparidze, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Lasers based on heterostructures with active areas limited by multilayered lattices”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:9 (1986),  562–565  mathnet
1985
69. N. N. Ledentsov, B. Ya. Ber, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, G. M. Minchev, “EFFECT OF GROWTH-CONDITIONS ON THE HUM ADDITIONS IN GAAS ALLOYED LAYERS GROWN BY MBE METHODS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:1 (1985),  142–147  mathnet
70. Z. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, B. Ya. Mel'tser, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, V. M. Ustinov, Yu. V. Shmartsev, “Galvanomagnetic Effects in $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs Heterostructures under high Level Doped”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
1984
71. P. S. Kop'ev, B. Ya. Ber, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Effect of Growth Conditions on the Implantation of Background Impurities into Undoped GaAs Epitaxial Layers Grown by the Method of Molecular-Beam Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
1983
72. V. N. Vlasov, A. S. Vasilchikov, A. Yu. Kozhukhar', V. M. Ustinov, “ROLE OF THE TRANSITION LAYER IN COERCIVITY OF EPITAXIAL FERRITE-GARNET FILMS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:7 (1983),  1376–1378  mathnet
73. L. A. Ievenko, A. Yu. Kozhukhar', V. M. Ustinov, “PECULIARITIES OF DYNAMIC PROPERTIES OF PERIODICAL DOMAIN-STRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:7 (1983),  1358–1360  mathnet
2021
74. A. M. Sergeev, Yu. Yu. Balega, I. A. Shcherbakov, E. B. Aleksandrov, V. M. Andreev, A. L. Aseev, A. M. Bykov, I. V. Grekhov, V. V. Gusarov, A. V. Dvurechenskii, A. V. Ivanchik, E. L. Ivchenko, N. N. Kazansky, A. A. Kaplyanskii, V. V. Kveder, N. N. Kolachevsky, S. G. Konnikov, P. S. Kop'ev, Z. F. Krasil'nik, A. G. Litvak, S. V. Medvedev, Yu. V. Natochin, V. N. Parmon, E. E. Son, R. A. Suris, V. B. Timofeev, V. V. Ustinov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, A. N. Aleshin, M. V. Arkhipov, P. N. Brunkov, A. I. Veinger, A. K. Vershovskii, E. A. Volkova, S. A. Gurevich, V. K. Gusev, V. A. Dergachev, A. G. Deryagin, O. V. Dudnik, V. V. Zhdanov, N. L. Istomina, A. M. Kalashnikova, E. S. Kornilova, E. V. Kustova, A.A. Lebedev, E.V. Lipatova, A. V. Nashchekin, R. V. Parfen'ev, M. P. Petrov, G. V. Skornyakov, E. M. Smirnov, G. S. Sokolovskii, A. V. Solomonov, M. G. Sushkova, E. I. Terukov, E. A. Chaban, O. L. Chagunava, A. P. Shergin, E. V. Shestopalova, M. L. Shmatov, A. A. Shmidt, V. L. Shubin, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024