Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Дракин Александр Евгеньевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 54
Научных статей: 54

Статистика просмотров:
Эта страница:257
Страницы публикаций:11117
Полные тексты:5081
Списки литературы:513
ведущий научный сотрудник
кандидат физико-математических наук (1996)
Специальность ВАК: 01.04.21 (лазерная физика)
E-mail:
Сайт: https://lebedev.ru/ru/people/branches/ftc.html?view=person&id_level=197&id=2207

Научная биография:

Дракин, Александр Евгеньевич. Оптические свойства мезаполосковых гетеролазеров на основе твердых растворов A3 B5 : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.21 / Физич. ин-т им. П. Н. Лебедева РАН. - Москва, 1996. - 23 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person83625
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=38315
https://www.webofscience.com/wos/author/record/M-3726-2015

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. С. Д. Таривердиев, А. Е. Дракин, О. В. Пагаев, Г. Т. Микаелян, А. Л. Коромыслов, А. В. Березуцкий, А. И. Демидчик, “Однородное распределение люминесценции в активном элементе мощных квантронов с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 53:9 (2023),  689–694  mathnet
2. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Г. Т. Микаелян, В. А. Панарин, “Структура аксиальных мод диодного лазера с внешним резонатором, содержащим объемную фазовую решетку”, Квантовая электроника, 53:7 (2023),  519–526  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, G. T. Mikayelyan, V. A. Panarin, “Structure of axial modes of a diode laser with an external cavity containing a volume phase grating”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 11 (2023), S1169–S1180]
2022
3. А. П. Богатов, В. В. Васильев, М. И. Васьковская, В. Л. Величанский, А. Е. Дракин, С. А. Зибров, К. М. Сабакарь, Е. А. Цыганков, Д. С. Чучелов, “Оптический метод определения амплитуды СВЧ модуляции тока диодных лазеров с вертикальным резонатором”, Квантовая электроника, 52:10 (2022),  895–898  mathnet [A. P. Bogatov, V. V. Vasil'ev, M. I. Vas'kovskaya, V. L. Velichansky, A. E. Drakin, S. A. Zibrov, K. M. Sabakar, Е. А. Tsygankov, D. S. Chuchelov, “Optical method for determining the amplitude of microwave current modulation in vertical-cavity surface emitting lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 2 (2023), S163–S168]
4. В. А. Панарин, Г. Т. Микаелян, И. В. Галушка, Н. Н. Беглецова, И. А. Зимин, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, А. П. Богатов, “Мощный источник спектрально-узкополосного излучения на основе интегрированных лазерных диодов с внешним резонатором”, Квантовая электроника, 52:9 (2022),  789–793  mathnet [V. A. Panarin, G. T. Mikayelyan, I. V. Galushka, N. N. Begletsova, I. A. Zimin, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, A. P. Bogatov, “High-power, narrow-band radiation source based on integrated external-cavity laser diodes”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 1 (2023), S11–S17] 1
5. Н. С. Утков, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Влияние толщины пассивирующего реактивного титанового слоя зеркальных граней на электрические характеристики диодных лазеров”, Квантовая электроника, 52:8 (2022),  728–730  mathnet [N. S. Utkov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, “Effect of the thickness of the passivating reactive titanium layer of mirror facets on the electrical characteristics of diode lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 49:suppl. 1 (2022), S53–S57]
2019
6. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, “Когерентное сложение оптических пучков диодных излучателей в системе задающий генератор – зигзагообразный усилитель мощности”, Квантовая электроника, 49:11 (2019),  1014–1018  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, “Coherent combining of diode laser beams in a master oscillator – zigzag slab power amplifier system”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1014–1018  isi  scopus] 2
7. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Роль спонтанного излучения в формировании оптического спектра диодного лазера в режиме стационарной генерации”, Квантовая электроника, 49:8 (2019),  717–727  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Role of spontaneous emission in the formation of the steady-state optical spectrum of a diode laser”, Quantum Electron., 49:8 (2019), 717–727  isi  scopus] 3
2018
8. Д. А. Заярный, А. Е. Дракин, А. А. Ионин, А. Ю. Льдов, Д. В. Синицын, Н. Н. Устиновский, И. В. Холин, “He – Ar-смесь высокого давления, возбуждаемая электронным пучком, как потенциальная активная среда лазера с оптической накачкой”, Квантовая электроника, 48:12 (2018),  1174–1178  mathnet  elib [D. A. Zayarnyi, A. E. Drakin, A. A. Ionin, A. Yu. L'dov, D. V. Sinitsyn, N. N. Ustinovskii, I. V. Kholin, “Electron-beam-excited high-pressure He – Ar mixture as a potential active medium for an optically pumped laser”, Quantum Electron., 48:12 (2018), 1174–1178  isi  scopus] 3
2017
9. М. И. Васьковская, В. В. Васильев, С. А. Зибров, В. Л. Величанский, И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Амплитудно-фазовая модуляция и спектр излучения диодного лазера с вертикальным резонатором”, Квантовая электроника, 47:9 (2017),  835–841  mathnet  elib [M. I. Vas'kovskaya, V. V. Vasil'ev, S. A. Zibrov, V. L. Velichansky, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Amplitude/phase modulation and spectrum of the vertical-cavity surface-emitting laser output”, Quantum Electron., 47:9 (2017), 835–841  isi  scopus] 11
10. Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Романов, “Распределение усиления в объеме твердотельного активного элемента мощного лазера с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 47:7 (2017),  620–626  mathnet  elib [T. I. Gushchik, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, V. V. Romanov, “Gain distribution in the volume of a solid-state active element of a diode-pumped high-power laser”, Quantum Electron., 47:7 (2017), 620–626  isi  scopus]
2016
11. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, “Флуктуации выходной мощности и фазы оптического пучка диодного усилителя, обусловленные собственным спонтанным излучением”, Квантовая электроника, 46:8 (2016),  699–702  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, “Intrinsic spontaneous emission-induced fluctuations of the output optical beam power and phase in a diode amplifier”, Quantum Electron., 46:8 (2016), 699–702  isi  scopus] 2
12. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Т. И. Гущик, “Спектр усиленного спонтанного излучения на выходе диодного усилителя, насыщенного входной монохроматической волной”, Квантовая электроника, 46:8 (2016),  693–698  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, T. I. Gushchik, “Amplified spontaneous emission spectrum at the output of a diode amplifier saturated by an input monochromatic wave”, Quantum Electron., 46:8 (2016), 693–698  isi  scopus] 3
2014
13. Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, “Экспериментальное исследование диодного усилителя модулированного пучка на основе AlGaAs/GaAs, работающего в режиме глубокого насыщения усиления”, Квантовая электроника, 44:11 (2014),  1005–1011  mathnet  elib [N. V. D'yachkov, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, “Experimental study of a modulated beam AlGaAs/GaAs diode amplifier operating in the highly saturated gain regime”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 1005–1011  isi  scopus] 6
14. Н. В. Дьячков, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, “Диодный усилитель мощности модулированного оптического пучка”, Квантовая электроника, 44:11 (2014),  997–1004  mathnet  elib [N. V. D'yachkov, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, “Diode amplifier of modulated optical beam power”, Quantum Electron., 44:11 (2014), 997–1004  isi  scopus] 7
2013
15. А. П. Богатов, Н. В. Дьячков, А. Е. Дракин, Т. И. Гущик, “Амплитудно-фазовая модуляция излучения в усилителе бегущей волны на основе лазерного диода”, Квантовая электроника, 43:8 (2013),  699–705  mathnet  elib [A. P. Bogatov, N. V. D'yachkov, A. E. Drakin, T. I. Gushchik, “Amplitude and phase modulation of radiation in a travelling-wave amplifier based on a laser diode”, Quantum Electron., 43:8 (2013), 699–705  isi  scopus] 5
2010
16. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, “Быстродействие оптического усилителя-модулятора на основе диодного лазера”, Квантовая электроника, 40:9 (2010),  782–788  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, “Performance of an optical amplifier/modulator based on a diode laser”, Quantum Electron., 40:9 (2010), 782–788  isi  scopus] 5
17. Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 2. Расчет пространственного распределения температуры и порога катастрофической оптической деградации”, Квантовая электроника, 40:7 (2010),  589–595  mathnet  elib [D. R. Miftakhutdinov, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Catastrophic optical degradation of the output facet of high-power single-transverse-mode diode lasers. 2. Calculation of the spatial temperature distribution and threshold of the catastrophic optical degradation”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 589–595  isi  scopus] 9
18. Д. Р. Мифтахутдинов, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, “Катастрофическая оптическая деградация выходной грани мощных поперечно-одномодовых диодных лазеров. Ч. 1. Физическая модель”, Квантовая электроника, 40:7 (2010),  583–588  mathnet  elib [D. R. Miftakhutdinov, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, “Catastrophic optical degradation of the output facet of high-power single-transverse-mode diode lasers. 1. Physical model”, Quantum Electron., 40:7 (2010), 583–588  isi  scopus] 12
2008
19. Д. Р. Мифтахутдинов, И. В. Акимова, А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, В. В. Поповичев, А. П. Некрасов, “Излучательные характеристики гребнёвых лазеров при больших токах накачки”, Квантовая электроника, 38:11 (2008),  993–1000  mathnet  elib [D. R. Miftakhutdinov, I. V. Akimova, A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, V. V. Popovichev, A. P. Nekrasov, “Radiation parameters of ridge lasers at high pump currents”, Quantum Electron., 38:11 (2008), 993–1000  isi  scopus] 10
20. А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008),  935–939  mathnet  elib [A. P. Bogatov, T. I. Gushchik, A. E. Drakin, A. P. Nekrasov, V. V. Popovichev, “Optimisation of waveguide parameters of laser InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructures for obtaining the maximum beam width in the resonator and the maximum output power”, Quantum Electron., 38:10 (2008), 935–939  isi  scopus] 18
21. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. Р. Мифтахутдинов, Г. Т. Микаелян, А. Н. Стародуб, “Импульсно-периодический лазер на неодимовом фосфатном стекле с резонансной накачкой диодными матрицами”, Квантовая электроника, 38:9 (2008),  805–812  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, D. R. Miftakhutdinov, G. T. Mikayelyan, A. N. Starodub, “Diode-array-pumped repetitively pulsed neodymium phosphate glass laser”, Quantum Electron., 38:9 (2008), 805–812  isi  scopus] 1
22. Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Н. В. Дьячков, Д. Р. Мифтахутдинов, “Моды полупроводникового прямоугольного микрорезонатора”, Квантовая электроника, 38:1 (2008),  16–22  mathnet  elib [D. V. Batrak, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, N. V. D'yachkov, D. R. Miftakhutdinov, “Modes of a semiconductor rectangular microcavity”, Quantum Electron., 38:1 (2008), 16–22  isi  scopus] 2
2006
23. С. А. Плисюк, Д. В. Батрак, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование излучательных характеристик и оптимизация волноводных параметров гребнёвого полупроводникового гетеролазера для получения максимальной яркости излучения”, Квантовая электроника, 36:11 (2006),  1058–1064  mathnet  elib [S. A. Plisyuk, D. V. Batrak, A. E. Drakin, A. P. Bogatov, “Simulation of emission characteristics and optimisation of waveguiding parameters of a ridge semiconductor heterolaser to maximise the emission brightness”, Quantum Electron., 36:11 (2006), 1058–1064  isi  scopus] 12
24. Д. Р. Мифтахутдинов, Д. В. Батрак, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, “Автокорреляционная функция и спектр излучения поперечно-одномодовых гетеролазеров в режиме самоподдерживающихся пульсаций интенсивности”, Квантовая электроника, 36:8 (2006),  751–757  mathnet  elib [D. R. Miftakhutdinov, D. V. Batrak, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, “Autocorrelation function and emission spectrum of single-transverse-mode heterolasers in the self-sustained intensity pulsation regime”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 751–757  isi  scopus] 1
25. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Д. В. Батрак, Р. Гютер, К. Пашке, Х. Венцель, “Спектральные свойства резонатора полупроводникового α-DFB-лазера”, Квантовая электроника, 36:8 (2006),  745–750  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, D. V. Batrak, R. Güther, K. Paschke, H. Wenzel, “Spectral properties of a semiconductor α-DFB laser cavity”, Quantum Electron., 36:8 (2006), 745–750  isi  scopus] 3
26. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Г. Т. Микаелян, Д. Р. Мифтахутдинов, В. И. Стадничук, А. Н. Стародуб, “Эффективность резонансной накачки и оптическое усиление в фосфатном Nd-стекле при возбуждении излучением диодных матриц”, Квантовая электроника, 36:4 (2006),  302–308  mathnet  elib [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, G. T. Mikayelyan, D. R. Miftakhutdinov, V. I. Stadnichuk, A. N. Starodub, “Efficiency of resonance pumping and optical gain in a Nd-doped phosphate glass excited by diode arrays”, Quantum Electron., 36:4 (2006), 302–308  isi  scopus] 3
2005
27. С. А. Плисюк, И. В. Акимова, А. Е. Дракин, А. В. Бородаенко, А. А. Стратонников, В. В. Поповичев, А. П. Богатов, “Качество оптического пучка мощного поперечно-одномодового AlGaAs-гетеролазера (λ=0.81 мкм) с гребнëвой конструкцией резонатора”, Квантовая электроника, 35:6 (2005),  515–519  mathnet [S. A. Plisyuk, I. V. Akimova, A. E. Drakin, A. V. Borodaenko, A. A. Stratonnikov, V. V. Popovichev, A. P. Bogatov, “Quality of the optical beam of a high-power, single-mode, 0.81-μm ridge AlGaAs heterolaser”, Quantum Electron., 35:6 (2005), 515–519  isi] 1
28. Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм”, Квантовая электроника, 35:4 (2005),  316–322  mathnet [D. V. Batrak, S. A. Bogatova, A. V. Borodaenko, A. E. Drakin, A. P. Bogatov, “Simulation of the material gain in quantum-well InGaAs layers used in 1.06-μm heterolasers”, Quantum Electron., 35:4 (2005), 316–322  isi] 6
2002
29. В. В. Поповичев, Е. И. Давыдова, А. А. Мармалюк, А. В. Симаков, М. Б. Успенский, А. А. Чельный, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, “Мощные поперечно-одномодовые полупроводниковые лазеры с гребнёвой конструкцией оптического волновода”, Квантовая электроника, 32:12 (2002),  1099–1104  mathnet [V. V. Popovichev, E. I. Davydova, A. A. Marmalyuk, A. V. Simakov, M. B. Uspenskiy, A. A. Chel'nyi, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, “High-power single-transverse-mode ridge optical waveguide semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:12 (2002), 1099–1104  isi] 21
30. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, С. А. Плисюк, А. А. Стратонников, М. Ш. Кобякова, А. В. Зубанов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, “Низкочастотные флуктуации интенсивности в мощных одномодовых гребнёвых полупроводниковых лазерах на основе квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:9 (2002),  809–814  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, S. A. Plisyuk, A. A. Stratonnikov, M. Sh. Kobyakova, A. V. Zubanov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, “Low-frequency intensity fluctuations in high-power single-mode ridge quantum-well InGaAs/AlGaAs heterostructure semiconductor lasers”, Quantum Electron., 32:9 (2002), 809–814  isi] 4
2001
31. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Лях, А. А. Стратонников, “Зависимость диаграммы направленности излучения квантоворазмерного гетеролазера, работающего на вытекающей моде, от тока накачки”, Квантовая электроника, 31:10 (2001),  847–852  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Lyakh, A. A. Stratonnikov, “Dependence of the radiation pattern of a leaky-mode, quantum-well heterolaser on the pump current”, Quantum Electron., 31:10 (2001), 847–852  isi] 5
2000
32. А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Оптические потери в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах с гребневым волноводом”, Квантовая электроника, 30:10 (2000),  878–880  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Boltaseva, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Optical loss in strained quantum-well semiconductor ridge lasers”, Quantum Electron., 30:10 (2000), 878–880  isi] 1
33. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, В. П. Коняев, “Яркость и филаментация оптического потока мощных квантоворазмерных In<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>As/GaAs-лазеров, работающих в непрерывном режиме”, Квантовая электроника, 30:5 (2000),  401–405  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Stratonnikov, V. P. Konyaev, “Brightness and filamentation of a beam from powerful cw quantum-well In<sub>0.2</sub>Ga<sub>0.8</sub>As/GaAs lasers”, Quantum Electron., 30:5 (2000), 401–405  isi] 22
34. А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев, “Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 30:4 (2000),  315–320  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Boltaseva, A. E. Drakin, M. A. Belkin, V. P. Konyaev, “Experimental study of the α-factor in InGaAs/AlGaAs/GaAs strained quantum-well lasers”, Quantum Electron., 30:4 (2000), 315–320  isi] 5
1999
35. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, А. А. Стратонников, Ю. С. Алавердян, А. В. Устинов, В. И. Швейкин, “Экспериментальное определение фактора спонтанного излучения в моду полупроводникового лазера, работающего на вытекающей моде”, Квантовая электроника, 27:2 (1999),  131–133  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, A. A. Stratonnikov, Yu. S. Alaverdyan, A. V. Ustinov, V. I. Shveikin, “Experimental determination of the factor representing spontaneous emission into a mode of a semiconductor laser operating on a leaky wave”, Quantum Electron., 29:5 (1999), 410–412  isi] 4
36. В. И. Швейкин, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, Ю. В. Курнявко, “Диаграмма направленности излучения квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs, работающих на «вытекающей» моде”, Квантовая электроника, 26:1 (1999),  33–36  mathnet [V. I. Shveikin, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, Yu. V. Kurnyavko, “Angular distribution of the radiation from quantum-well ‘leaky-wave' InGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 29:1 (1999), 33–36  isi] 11
37. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. И. Швейкин, “Эффективность и распределение интенсивности в полупроводниковом лазере, работающем на «вытекающей» моде”, Квантовая электроника, 26:1 (1999),  28–32  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. I. Shveikin, “Efficiency and intensity distribution in a semiconductor laser operating in the ‘leaky' regime”, Quantum Electron., 29:1 (1999), 28–32  isi] 6
1998
38. И. В. Акимова, А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. П. Коняев, “Динамика оптического разрушения выходного зеркала гребневых полупроводниковых лазеров на основе напряженных квантоворазмерных гетероструктур”, Квантовая электроника, 25:7 (1998),  647–650  mathnet [I. V. Akimova, A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. P. Konyaev, “Dynamics of the optical damage of output mirrors of ridge semiconductor lasers based on strained quantum-well heterostructures”, Quantum Electron., 28:7 (1998), 629–632  isi] 5
39. А. П. Богатов, А. Е. Дракин, В. Р. Медведев, А. В. Устинов, “Расчет постоянной распространения лазерной моды в многослойных квантоворазмерных гетероструктурах с помощью метода «набегающей» волны”, Квантовая электроника, 25:6 (1998),  488–492  mathnet [A. P. Bogatov, A. E. Drakin, V. R. Medvedev, A. V. Ustinov, “Calculation of the propagation constant of a laser mode in multilayer quantum-well heterostructures by the ‘incoming' wave method”, Quantum Electron., 28:6 (1998), 474–477  isi] 2
1996
40. П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Самораспределение тока в лазерных диодах и возможность его использования для уменьшения оптической нелинейности активной среды”, Квантовая электроника, 23:4 (1996),  307–310  mathnet [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Self-distribution of the current in laser diodes and its possible use for reducing the optical nonlinearity of the active medium”, Quantum Electron., 26:4 (1996), 299–302  isi] 5
1995
41. П. Г. Елисеев, Г. Байстер, А. Е. Дракин, И. В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан, “Гистерезис мощности и волноводная бистабильность вполосковых квантово-размерных гетеролазерах на основе InGaAs/GaAs/GaAlAs с напряженным активным слоем”, Квантовая электроника, 22:4 (1995),  309–320  mathnet [P. G. Eliseev, G. Beister, A. E. Drakin, I. V. Akimova, G. Erbert, J. Maege, J. Sebastian, “Power hysteresis and waveguide bistability of stripe quantum-well InGaAsGaAsGaAIAs heterolasers with a strained active layer”, Quantum Electron., 25:4 (1995), 291–301  isi] 1
1992
42. Е. И. Давыдова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Г. Т. Пак, В. В. Поповичев, М. Б. Успенский, С. Е. Хлопотин, В. А. Шишкин, “Излучательные характеристики и диаграмма направленности квантоворазмерного инжекционного лазера в спектральной области 780 нм”, Квантовая электроника, 19:10 (1992),  1024–1031  mathnet [E. I. Davydova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, G. T. Pak, V. V. Popovichev, M. B. Uspenskiy, S. E. Khlopotin, V. A. Shishkin, “Directional pattern and other output properties of a quantum-well injection laser for the 780-nm spectral region”, Sov J Quantum Electron, 22:10 (1992), 954–960  isi] 4
1989
43. И. В. Акимова, М. Г. Васильев, Е. Г. Голикова, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, В. И. Романцевич, Б. Н. Свердлов, В. И. Швейкин, А. А. Шелякин, “Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP”, Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462  mathnet [I. V. Akimova, M. G. Vasil'ev, E. G. Golikova, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, V. I. Romantsevich, B. N. Sverdlov, V. I. Shveǐkin, A. A. Shelyakin, “Low-threshold buried 1.3-μm injection lasers with two-channel lateral confinement and n-type InP substrates”, Sov J Quantum Electron, 19:3 (1989), 303–306  isi]
1988
44. А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Непрерывная генерация при комнатной температуре в инжекционных лазерах на гетероструктуре InGaSbAs/GaAlSbAs, работающих в спектральном диапазоне 2,2–2,4 мкм”, Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2171–2172  mathnet [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Continuous-wave lasing at room temperature in InGaSbAs/GaAlSbAs injection heterostructures emitting in the spectral range 2.2–2.4 μm”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1362–1363  isi] 40
1987
45. И. В. Акимова, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. И. Махсудов, Б. Н. Свердлов, “Дефекты быстрой деградации на зеркальных гранях лазеров на основе InGaAsP/lnP в диапазоне 1,3 мкм”, Квантовая электроника, 14:1 (1987),  204–205  mathnet [I. V. Akimova, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. I. Makhsudov, B. N. Sverdlov, “Fast degradation defects on reflecting faces of InGaAsP/lnP lasers emitting in the 1.3 μ range”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 121–122  isi]
1986
46. А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, “Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)”, Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120  mathnet [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, “Injection InGaSbAs laser emitting at 2.4μ (300K)”, Sov J Quantum Electron, 16:10 (1986), 1397  isi] 2
1985
47. А. Э. Бочкарев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, “Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1309–1311  mathnet [A. É. Bochkarev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, “Injection InGaSbAs lasers emitting radiation of wavelengths 1.9–2.3μ at room temperature”, Sov J Quantum Electron, 15:6 (1985), 869–870  isi] 26
1984
48. В. П. Авдеева, В. В. Безотосный, М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Н. В. Малькова, М. Г. Мильвидский, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)”, ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557  mathnet  isi
49. Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см<sup>2</sup> при 300 K”, Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646  mathnet [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Injection InGaAsP/lnP lasers with a threshold current density of 0.5 kA/cm<sup>2</sup> at 300 К”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 439–441  isi] 3
50. М. Г. Васильев, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, А. В. Иванов, П. Г. Елисеев, В. П. Коняев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, В. И. Швейкин, Е. Г. Шевченко, А. А. Шелякин, Г. В. Шепекина, “Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом”, Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633  mathnet [M. G. Vasil'ev, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, A. V. Ivanov, P. G. Eliseev, V. P. Konyaev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, V. I. Shveǐkin, E. G. Shevchenko, A. A. Shelyakin, G. V. Shepekina, “Three-layer waveguide InGaAsP/lnP injection lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 431–432  isi] 1
51. П. Г. Елисеев, А. Е. Дракин, “Качественный анализ порогового тока в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 11:1 (1984),  178–181  mathnet [P. G. Eliseev, A. E. Drakin, “Qualitative analysis of the threshold current of quantum-size semiconductor lasers”, Sov J Quantum Electron, 14:1 (1984), 119–121  isi] 9
1982
52. Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, В. П. Дураев, П. Г. Елисеев, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Е. Г. Шевченко, “Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм”, Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749  mathnet [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, V. P. Duraev, P. G. Eliseev, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, E. G. Shevchenko, “Continuous-wave injection lasers emitting in the 1.5–1.6 μ range”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1127  isi]
1980
53. Я. А. Аарик, Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, П. А. Лыук, Б. Н. Свердлов, В. А. Скрипкин, Я. Ф. Фриедентхаль, “Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм”, Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96  mathnet [Ya. A. Aarik, L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinina, P. G. Eliseev, P. A. Lyuk, B. N. Sverdlov, V. A. Skripkin, L. V. Friedentkhal', “Properties of AIGaAsSb–GaSb heterojunction injection lasers in the 1.4–1.8 $\mu m$ wavelength range”, Sov J Quantum Electron, 10:1 (1980), 50–53  isi] 9
1978
54. Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489  mathnet [L. M. Dolginov, A. E. Drakin, P. G. Eliseev, T. V. Berdnikova, M. G. Mil'vidskii, V. P. Orlov, Yu. K. Panteleev, B. N. Sverdlov, E. G. Shevchenko, “High-efficiency GaInPAs/InP light-emitting diodes”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1404–1405]

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024