|
Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 10, страницы 935–939
(Mi qe13901)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)
Управление параметрами лазерного излучения
Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности
А. П. Богатовa, Т. И. Гущикa, А. Е. Дракинa, А. П. Некрасовb, В. В. Поповичевb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация:
Проведена оптимизация конструкции волновода лазерной гетероструктуры для расширения в вертикальном направлении пучка излучения на выходном зеркале лазерного диода (до 1.5 мкм по половине интенсивности для нулевой моды). Экспериментальные образцы таких диодов работали в непрерывном поперечно-одномодовом режиме генерации до мощности излучения 0.5 Вт. Расходимость излучения в вертикальном направлении составила 118 — 128 и в горизонтальном — 4° — 7°.
Поступила в редакцию: 28.05.2008
Образец цитирования:
А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 935–939 [Quantum Electron., 38:10 (2008), 935–939]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe13901 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i10/p935
|
|