| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях) Управление параметрами лазерного излучения Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности А. П. Богатовa, Т. И. Гущикa, А. Е. Дракинa, А. П. Некрасовb, В. В. Поповичевb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, Volume 38, Issue 10, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2008v038n10ABEH013901 
Реферативные базы данных:
    Образец цитирования: А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|