Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2008, том 38, номер 10, страницы 935–939 (Mi qe13901)  

Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Управление параметрами лазерного излучения

Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности

А. П. Богатовa, Т. И. Гущикa, А. Е. Дракинa, А. П. Некрасовb, В. В. Поповичевb

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация: Проведена оптимизация конструкции волновода лазерной гетероструктуры для расширения в вертикальном направлении пучка излучения на выходном зеркале лазерного диода (до 1.5 мкм по половине интенсивности для нулевой моды). Экспериментальные образцы таких диодов работали в непрерывном поперечно-одномодовом режиме генерации до мощности излучения 0.5 Вт. Расходимость излучения в вертикальном направлении составила 118 — 128 и в горизонтальном — 4° — 7°.
Поступила в редакцию: 28.05.2008
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2008, Volume 38, Issue 10, Pages 935–939
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2008v038n10ABEH013901
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. П. Богатов, Т. И. Гущик, А. Е. Дракин, А. П. Некрасов, В. В. Поповичев, “Оптимизация волноводных параметров лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с целью наибольшего увеличения ширины пучка в резонаторе и получения максимальной лазерной мощности”, Квантовая электроника, 38:10 (2008), 935–939 [Quantum Electron., 38:10 (2008), 935–939]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13901
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v38/i10/p935
  • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024