| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях) Лазеры Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм Д. В. Батракa, С. А. Богатоваb, А. В. Бородаенкоb, А. Е. Дракинa, А. П. Богатовa a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2005, Volume 35, Issue 4, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2005v035n04ABEH002909 
Реферативные базы данных:
  Образец цитирования: Д. В. Батрак, С. А. Богатова, А. В. Бородаенко, А. Е. Дракин, А. П. Богатов, “Моделирование материального усиления квантоворазмерных слоев InGaAs, используемых в гетеролазерах, работающих в спектральной области 1.06 мкм”, Квантовая электроника, 35:4 (2005), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|