Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 4, страницы 315–320 (Mi qe1721)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Лазеры

Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

А. П. Богатовa, А. Е. Болтасеваb, А. Е. Дракинa, М. А. Белкинb, В. П. Коняевc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ "Полюс", Москва
Аннотация: Представлена методика экспериментального определения коэффициента амплитудно-фазовой связи (α-фактор) в полупроводниковых инжекционных лазерах; он получен для квантоворазмерных лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой при концентрациях инжектированных носителей от 1.5·1018 до 6·1018 см – 3. Показано, что в максимуме модового усиления для такого рода структур α-фактор находится в диапазоне 2 — 9 и в зависимости от режима работы лазера может изменяться в несколько раз для одной и той же структуры.
Поступила в редакцию: 28.10.1999
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 4, Pages 315–320
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n04ABEH001721
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Px, 85.30.Vw, 42.60.Mi


Образец цитирования: А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев, “Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 315–320 [Quantum Electron., 30:4 (2000), 315–320]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1721
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i4/p315
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:291
    PDF полного текста:123
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024