|
Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 4, страницы 315–320
(Mi qe1721)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Лазеры
Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs
А. П. Богатовa, А. Е. Болтасеваb, А. Е. Дракинa, М. А. Белкинb, В. П. Коняевc a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c Федеральное государственное унитарное предприятие НИИ "Полюс", Москва
Аннотация:
Представлена методика экспериментального определения коэффициента амплитудно-фазовой связи (α-фактор) в полупроводниковых инжекционных лазерах; он получен для квантоворазмерных лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой при концентрациях инжектированных носителей от 1.5·1018 до 6·1018 см – 3. Показано, что в максимуме модового усиления для такого рода структур α-фактор находится в диапазоне 2 — 9 и в зависимости от режима работы лазера может изменяться в несколько раз для одной и той же структуры.
Поступила в редакцию: 28.10.1999
Образец цитирования:
А. П. Богатов, А. Е. Болтасева, А. Е. Дракин, М. А. Белкин, В. П. Коняев, “Экспериментальное исследование α-фактора в напряженных квантоворазмерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 30:4 (2000), 315–320 [Quantum Electron., 30:4 (2000), 315–320]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1721 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i4/p315
|
|