Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Ханин Юрий Николаевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 24
Научных статей: 24

Статистика просмотров:
Эта страница:184
Страницы публикаций:3204
Полные тексты:902
Списки литературы:568
старший научный сотрудник
кандидат физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person58314
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2023
1. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Корреляционная кулоновская щель при магнитотуннелировании между слоями графена”, Письма в ЖЭТФ, 118:6 (2023),  438–444  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “Coulomb correlation gap at magnetic tunneling between graphene layers”, JETP Letters, 118:6 (2023), 433–438
2021
2. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs”, Физика твердого тела, 63:12 (2021),  2047–2052  mathnet  elib
3. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Морозов, “Сильное влияние длины световой волны на квантовые осцилляции фототока и их резонансно-туннельная природа в GaAs/AlAs $p{-}i{-}n$ структурах”, Письма в ЖЭТФ, 114:6 (2021),  366–371  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Morozov, “Strong effect of the wavelength of light on quantum oscillations of the photocurrent and their resonant tunneling nature in $p{-}i{-}n$ GaAs/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 114:6 (2021), 332–336  isi  scopus 1
4. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Влияние мощности излучения на модификацию осцилляций фототока в однобарьерных $p{-}i{-}n$ GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах с InAs квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 113:9 (2021),  605–611  mathnet  elib; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, “Effect of the radiation power on the modification of oscillations of the photocurrent in single-barrier $p{-}i{-}n$ GaAs/AlAs/GaAs heterostructures with InAs quantum dots”, JETP Letters, 113:9 (2021), 586–591  isi  scopus 5
5. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, “Проявления процессов резонансного туннелирования и случайных флуктуаций потенциала с участием уровней квантовых точек в релаксации фототока $p$–$i$–$n$ GaAs/AlAs-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  951–955  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, “Manifestations of resonant-tunneling processes and random potential fluctuations with the participation of quantum-dot levels in the photocurrent relaxation of $p$–$i$–$n$ GaAs/AlAs heterostructures”, Semiconductors, 55:11 (2021), 835–839
2020
6. М. В. Григорьев, Д. А. Казарян, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, С. В. Морозов, К. С. Новоселов, “Роль структурных несовершенств графена в резонансном туннелировании через локализованные состояния в $h$-BN барьере ван-дер-ваальсовых гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020),  238–243  mathnet  elib; M. V. Grigor'ev, D. A. Ghazaryan, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, S. V. Morozov, K. S. Novoselov, “On the role of structural imperfections of graphene in resonant tunneling through localized states in the $h$-BN barrier of van-der-Waals heterostructures”, Semiconductors, 54:3 (2020), 291–296
2019
7. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, М. В. Григорьев, О. Макаровский, М. Алхазми, С. В. Морозов, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Туннелирование в графен/$h$-$BN$/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов $h$-$BN$ и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена”, Письма в ЖЭТФ, 109:7 (2019),  492–499  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Mahal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Tunneling in graphene/h-BN/graphene heterostructures through zero-dimensional levels of defects in h-BN and their use as probes to measure the density of states of graphene”, JETP Letters, 109:7 (2019), 482–489  isi  scopus 7
8. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1058–1062  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, A. Mishchenko, K. S. Novoselov, “Observation of regions of negative differential conductivity and current generation during tunneling through zero-dimensional defect levels of the $h$-BN barrier in graphene/$h$-BN/graphene heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1038–1041 3
9. Е. Е. Вдовин, К. С. Новоселов, Ю. Н. Ханин, “Резонансно-туннельная спектроскопия ван-дер-ваальсовых гетеросистем”, Усп. хим., 88:11 (2019),  1081–1093  mathnet  elib; E. E. Vdovin, K. S. Novoselov, Yu. N. Khanin, “Resonant tunnelling spectroscopy of van der Waals heterosystems”, Russian Chem. Reviews, 88:11 (2019), 1081–1093  isi  scopus 2
2018
10. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Резонансно-туннельные явления в многослойных вандерваальсовских двумерных кристаллических системах”, Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018),  674–686  mathnet  elib; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, “Resonance tunneling phenomena in two-dimensional multilayer van der Waals crystalline systems”, JETP Letters, 108:9 (2018), 641–652  isi  scopus 6
11. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, И. А. Ларкин, О. Макаровский, Ю. А. Склюева, А. Мищенко, Ю. Б. Ванг, А. Козиков, Р. В. Горбачев, К. С. Новоселов, “Наблюдение спинового и долинного расщепления уровней Ландау при магнитотуннелировании в графен/нитрид бора/графен структурах”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018),  242–247  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, I. A. Larkin, O. Makarovsky, Yu. A. Sklyuеva, A. Mishchenko, Yi Bo Wang, A. Kozikov, R. V. Gorbachev, K. S. Novoselov, “Observation of spin and valley splitting of Landau levels under magnetic tunneling in graphene/boron nitride/graphene structures”, JETP Letters, 107:4 (2018), 238–242  isi  scopus 4
12. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, “Квантовые осцилляции релаксации фотопроводимости в $p$–$i$–$n$-гетеродиодах GaAs/InAs/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  591–596  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, “Quantum oscillations of photoconductivity relaxation in $p$–$i$–$n$ GaAs/InAs/AlAs heterodiodes”, Semiconductors, 52:6 (2018), 739–744 3
2016
13. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, Ж. С. Ту, А. Козиков, К. С. Новоселов, Р. В. Горбачев, “Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016),  342–348  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, A. Mishchenko, J. S. Tu, A. Kozikov, K. S. Novoselov, R. V. Gorbachev, “Selective spectroscopy of tunneling transitions between the Landau levels in vertical double-gate graphene-boron nitride-graphene heterostructures”, JETP Letters, 104:5 (2016), 334–340  isi  scopus 7
2015
14. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, О. Макаровский, М. Хенини, “Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах”, Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015),  830–836  mathnet  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, O. Makarovskii, M. Henini, “Period of photoconductivity oscillations and charge dynamics of quantum dots in $p-i-n$ GaAs/InAs/AlAs heterojunctions”, JETP Letters, 102:11 (2015), 720–726  isi  scopus 5
2012
15. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, М. Хенини, “Наблюдение аномальной температурной зависимости резонансного туннелирования через нульмерные состояния в квантовой яме в условиях динамического кулоновского взаимодействия между туннельными каналами”, Письма в ЖЭТФ, 96:8 (2012),  581–587  mathnet  elib; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, M. Henini, “Observation of the anomalous temperature dependence of resonance tunneling through zero-dimensional states in a quantum well with dynamic coulomb interaction between the tunneling channels”, JETP Letters, 96:8 (2012), 529–535  isi  elib  scopus 1
2010
16. В. А. Ковальский, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Формирование наноэлектростатических квантовых точек и двумерных подзон флуктуационным потенциалом доноров Mn в $p$-$i$-$n$ резонансно-туннельных гетеросистемах”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010),  357–363  mathnet; V. A. Koval'skii, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, “Formation of nanoelectrostatic quantum dots and two-dimensional subbands by the random potential of Mn donors in p-i-n resonant tunneling heterosystems”, JETP Letters, 92:5 (2010), 321–326  isi  scopus 1
2009
17. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Исследование пространственного распределения плотности вероятности волновых функций донорных пар Si в GaAs квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 90:6 (2009),  494–500  mathnet; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, “Investigation of the spatial distribution of silicon donor pairs in a GaAs quantum well”, JETP Letters, 90:6 (2009), 449–454  isi  scopus 1
2006
18. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, Ю. В. Дубровский, М. Хенини, “Экспериментальное наблюдение фазовой когерентности двуслойных систем в отсутствие магнитного поля”, Письма в ЖЭТФ, 84:4 (2006),  243–247  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, Yu. A. Dubrovskii, M. Henini, “Experimental observation of phase coherence in bilayer systems in the absence of a magnetic field”, JETP Letters, 84:4 (2006), 209–213  isi  scopus 3
2005
19. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, С. В. Дубонос, А. Левин, Л. Ивс, М. Хенини, “Кулоновские осцилляции тока через невырожденные по спину $p$-состояния InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 82:8 (2005),  585–590  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, S. V. Dubonos, A. Levin, L. Eaves, M. Henini, “Coulomb oscillations of the current through spin-nondegenerate $p$ states of InAs quantum dots”, JETP Letters, 82:8 (2005), 526–531  isi  scopus
20. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, “Сингулярность в туннельном токе через InAs квантовую точку, индуцированная магнитным полем”, Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005),  330–334  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, “Magnetic-field-induced singularity in the tunneling current through an InAs quantum dot”, JETP Letters, 81:6 (2005), 267–271  isi  scopus 13
2004
21. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, “Спиновое расщепление примесных состояний доноров, связанных с $X$-долиной в AlAs-барьере”, Письма в ЖЭТФ, 80:2 (2004),  130–133  mathnet; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, “Spin splitting of X-valley-related donor impurity states in an AlAs barrier”, JETP Letters, 80:2 (2004), 120–123  scopus
2001
22. E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, A. V. Veretennikov, A. Levin, A. Patane, Yu. A. Dubrovskii, L. Eaves, P. C. Main, M. Henini, G. Hill, “Anisotropy of electronic wave functions in self-assembled InAs dots embedded in the centre of a GaAs quantum well studied by magnetotunneling spectroscopy”, Письма в ЖЭТФ, 74:1 (2001),  43–47  mathnet  scopus; JETP Letters, 74:1 (2001), 41–45  scopus 4
23. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, Ю. В. Дубровский, А. В. Веретенников, А. Левин, А. Патанэ, Л. Ивс, М. Хенини, П. C. Мэйн, Д. Хилл, “Визуализация волновых функций электронов в InAs самоорганизующихся квантовых точках с помощью магнитотуннельной спектроскопии”, УФН, 171:12 (2001),  1365–1367  mathnet; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, Yu. A. Dubrovskii, A. V. Veretennikov, A. Levin, A. Patane, L. Eaves, M. Henini, P. C. Main, G. Hill, “Magnetotunneling spectroscopy imaging of electron wave functions in self-assembled InAs quantum dots”, Phys. Usp., 44:12 (2001), 1299–1301 2
1996
24. Ю. В. Дубровский, В. Г. Попов, Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, И. А. Ларкин, T. Г. Андерсон, И. В. Тордсон, Дж. С. Портал, Д. K. Мауд, “Резонансы при туннелировании в гетероструктурах с одиночным барьером”, УФН, 166:8 (1996),  900  mathnet; Yu. A. Dubrovskii, V. G. Popov, E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, I. A. Larkin, T. G. Andersson, J. Tordson, J. C. Portal, D. K. Maude, “Tunnelling resonances in a single-barrier heterostructure”, Phys. Usp., 39:8 (1996), 842

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024