Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 8, страницы 1058–1062
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47995.9093 (Mi phts5429) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен

Ю. Н. Ханинa, Е. Е. Вдовинa, А. Мищенкоb, К. С. Новоселовb

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
b School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Oxford Road, Manchester, M13 9PL, UK
PDF полного текста (402 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47995.9093
Аннотация: Исследовались туннелирование и магнитотуннелирование в ван-дер-ваальсовых гетеросистемах графен/$h$-BN/графен, обнаружившие два новых типа систем, в которых области отрицательной дифференциальной проводимости реализуются в результате процессов резонансного туннелирования через уровни дефектов в барьере $h$-BN, а также происходит генерация тока, обусловленная их наличием.
Ключевые слова: туннелирование, магнитотуннелирование, ван-дер-ваальсовы гетеросистемы, графен.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 075-00475-19-00
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00425
Работа выполнена Ю.Н. Ханиным в рамках государственного задания 075-00475-19-00. Е.Е. Вдовин благодарит за финансовую поддержку Российский фонд фундаментальных исследований (грант 18-02-00425).
Поступила в редакцию: 06.03.2019
Исправленный вариант: 10.03.2019
Принята в печать: 13.03.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 8, Pages 1038–1041
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619080104
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1058–1062; Semiconductors, 53:8 (2019), 1038–1041
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaVdoMis19}
\by Ю.~Н.~Ханин, Е.~Е.~Вдовин, А.~Мищенко, К.~С.~Новоселов
\paper Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1058--1062
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5429}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.08.47995.9093}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41129831}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 8
\pages 1038--1041
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619080104}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5429
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1058
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024