|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен
Ю. Н. Ханинa, Е. Е. Вдовинa, А. Мищенкоb, К. С. Новоселовb a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская область, Россия
b School of Physics and Astronomy, University of Manchester,
Oxford Road, Manchester, M13 9PL, UK
Аннотация:
Исследовались туннелирование и магнитотуннелирование в ван-дер-ваальсовых гетеросистемах графен/$h$-BN/графен, обнаружившие два новых типа систем, в которых области отрицательной дифференциальной проводимости реализуются в результате процессов резонансного туннелирования через уровни дефектов в барьере $h$-BN, а также происходит генерация тока, обусловленная их наличием.
Ключевые слова:
туннелирование, магнитотуннелирование, ван-дер-ваальсовы гетеросистемы, графен.
Поступила в редакцию: 06.03.2019 Исправленный вариант: 10.03.2019 Принята в печать: 13.03.2019
Образец цитирования:
Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, К. С. Новоселов, “Наблюдение областей отрицательной дифференциальной проводимости и генерации тока при туннелировании через нульмерные уровни дефектов барьера $h$-BN в гетероструктурах графен/$h$-BN/графен”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1058–1062; Semiconductors, 53:8 (2019), 1038–1041
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5429 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i8/p1058
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 47 | PDF полного текста: | 13 |
|