Туннелирование в графен/$h$-$BN$/графен гетероструктурах через нульмерные уровни дефектов $h$-$BN$ и их использование в качестве зонда для измерения плотности состояний графена

Исследована эволюция проявления уровней дефектов $h$-$BN$ в туннелировании через гетероструктуры графен/$h$-$BN$/графен различной степени совершенства, от полностью бездефектных до демонстрировавших несколько десятков уровней в запрещенной зоне $h$-$BN$. Показана связь поведения этих уровней с движением точек Дирака и химических потенциалов графеновых слоев при изменении смещающего и затворного напряжений, описываемым электростатической моделью идеальной бездефектной гетероструктуры. Исследована плотность состояний графена в магнитном поле путем зондирования ее уровнем единичного дефекта, с чувствительностью, позволившей зарегистрировать уже при $B\sim4\,$Т расщепление нулевого уровня Ландау, обусловленного снятием спинового и долинного вырождения.